VND14NV04-E
- 厂商名称意法半导体
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管, MOSFET, N通道, 55 V, 24 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
- 英文描述Gate Drivers N-Ch 40V 12A OmniFET
- 数据手册VND14NV04-E数据手册Datasheet PDF
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VND14NV04-E概述
VND14NV04-E是一款采用VIPower™M0技术制造的55V全自动保护功率MOSFET，用于替代直流至50KHz应用中的标准功率MOSFET。内置热关断、线性电流限制和过压箝位功能可在恶劣环境中保护芯片。可通过监测输入引脚的电压来检测故障反馈。
线性电流限制
热关断
短路保护
集成钳位
输入引脚电流低
通过输入引脚进行诊断反馈
ESD保护
直接访问功率MOSFET的栅极（模拟驱动）
与标准功率MOSFET兼容
线性电流限制
热关断
短路保护
集成钳位
输入引脚电流低
通过输入引脚进行诊断反馈
ESD保护
直接访问功率MOSFET的栅极（模拟驱动）
与标准功率MOSFET兼容
VND14NV04-E中文参数
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOS管
产品:MOSFET Gate Drivers
类型:Low-Side
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:TO-252
激励器数量:1 Driver
输出端数量:1 Output
输出电流:12 A
电源电压-最大:36 V
上升时间:350 ns
下降时间:150 ns
最小工作温度:-40℃
最大工作温度:+150℃
系列:VND14NV04
资格:AEC-Q100
最大关闭延迟时间:1350 ns
最大开启延迟时间:250 ns
湿度敏感性:Yes
工作电源电流:20 mA
Pd-功率耗散:74 W
产品种类:MOS管
产品:MOSFET Gate Drivers
类型:Low-Side
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:TO-252
激励器数量:1 Driver
输出端数量:1 Output
输出电流:12 A
电源电压-最大:36 V
上升时间:350 ns
下降时间:150 ns
最小工作温度:-40℃
最大工作温度:+150℃
系列:VND14NV04
资格:AEC-Q100
最大关闭延迟时间:1350 ns
最大开启延迟时间:250 ns
湿度敏感性:Yes
工作电源电流:20 mA
Pd-功率耗散:74 W
VND14NV04-E引脚图
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