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DRV5011ADDBZR

DRV5011ADDBZR

  • 厂商名称德州仪器
  • 元件分类霍尔开关
  • 中文描述小尺寸、低电压霍尔效应锁存器
  • 英文描述<span>Low-Voltage Digital-Latch Hall Effect Sensor</span>
  • 数据手册DRV5011ADDBZR数据手册Datasheet PDF
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DRV5011ADDBZR概述

DRV5011器件是一款数字锁存器霍尔效应传感器,专为电机和其他旋转系统而设计。

此器件具有工作电压范围为2.5V至5.5V的高效低电压架构,采用标准SOT-23封装以及薄型X2SON、DSBGA和TO-92封装。输出端采用推挽驱动器,无需使用上拉电阻器,使系统更加紧凑小巧。

当南磁极靠近封装顶部并且超出BOP阈值时,该器件会驱动低电压。输出会保持低电平,直到应用北极并且超出BRP阈值,这将使输出驱动高电压。必须交换北极和南极才能切换输出,且集成的磁滞会分开BOP和BRP以提供可靠切换。

器件在–40°C至+135°C的宽环境温度范围内能够保持稳定一致的优异性能。

DRV5011ADDBZR中文参数

制造商:Texas Instruments

产品种类:霍尔开关

工作电源电流:2.3 mA

最大输出电流:20 mA

工作点最小值/最大值:0.6 mT to 3.8 mT

最小/最大释放点(Brp):-3.8 mT to-0.6 mT

工作电源电压:2.5 V to 5.5 V

最小工作温度:-40℃

最大工作温度:+135℃

安装风格:SMD/SMT

封装/箱体:SOT-23-3

系列:DRV5011

灵敏度:+/-2 mT

电源电压-最大:5.5 V

电源电压-最小:2.5 V

DRV5011ADDBZR引脚图

DRV5011ADDBZR引脚图和PCB焊盘图

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