TLV271IW5-7
- 厂商名称Diodes
- 元件分类运算放大器
- 中文描述运算放大器, 1 放大器, 2 MHz, 2 V/µs, 2.7V至16V, ± 1.35V至± 8V, SOT-25, 5 引脚
- 英文描述DiodesZetex TLV271IW5-7 CMOS Op Amp,1.9MHz Rail-Rail,2.7→16 V,5-Pin SOT-25
- 数据手册TLV271IW5-7数据手册Datasheet PDF
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TLV271IW5-7概述
TLV27x系列运算放大器是TLC27x系列的高性能替代产品。该器件在扩展工业温度范围内将最低工作电源电压降至2.7V，同时新增了轨至轨输出摆幅特性，使其成为需要轨至轨输出摆幅应用的理想替代方案。在仅550μA供电电流下即可提供2MHz带宽。TLV27x完全支持5V和±5V电源供电，最大推荐电源电压为16V，可采用多种可充电电池（±8V至±1.35V）进行工作。
其CMOS输入特性使其适用于高阻抗传感器接口，低压工作特性更使其成为电池供电应用中TLC27x系列的优质替代选择。2.7V工作电压与锂离子供电系统完美兼容，并适配当前多数微功耗微控制器的工作电压范围。
全系列提供SOIC封装，其中TLV271额外提供SOT25封装。器件支持两种温度等级：C级适用于0至+70°C工作环境，I级支持-40°C至+125°C宽温域操作。
关键性能亮点：
轨至轨输出摆幅（VOH>4.7V，VOL<0.1V 5V供电）
超宽供电范围（2.7V至16V）
卓越能效比（550μA供电电流/2MHz带宽）
增强型EMI抗扰度设计
工业宽温支持（-40°C至+125°C）
微型封装方案（SOT23-5尺寸优化）
该器件特别适用于手持仪表、工业传感器接口、医疗监测设备和物联网终端等低功耗高精度场景，其±1mV输入失调电压和0.5μV/°C温漂特性可确保信号链路的测量精度。
其CMOS输入特性使其适用于高阻抗传感器接口，低压工作特性更使其成为电池供电应用中TLC27x系列的优质替代选择。2.7V工作电压与锂离子供电系统完美兼容，并适配当前多数微功耗微控制器的工作电压范围。
全系列提供SOIC封装，其中TLV271额外提供SOT25封装。器件支持两种温度等级：C级适用于0至+70°C工作环境，I级支持-40°C至+125°C宽温域操作。
关键性能亮点：
轨至轨输出摆幅（VOH>4.7V，VOL<0.1V 5V供电）
超宽供电范围（2.7V至16V）
卓越能效比（550μA供电电流/2MHz带宽）
增强型EMI抗扰度设计
工业宽温支持（-40°C至+125°C）
微型封装方案（SOT23-5尺寸优化）
该器件特别适用于手持仪表、工业传感器接口、医疗监测设备和物联网终端等低功耗高精度场景，其±1mV输入失调电压和0.5μV/°C温漂特性可确保信号链路的测量精度。
TLV271IW5-7中文参数
放大器类型:CMOS
安装类型:贴片
封装类型:SOT-25
电源类型:双/单
每片芯片通道数目:1
引脚数目:5
典型单电源电压:2.7→16 V
典型增加带宽产品:1.9MHz
典型双电源电压:±5V
典型转换速率:2.2V/µs
最大工作频率:10 kHz
最低工作温度:-40°C
最高工作温度:+125°C
典型电压增益:115 dB
轨对轨:轨到轨输出
尺寸:3.1 x 1.7 x 1.3mm
长度:3.1mm
典型输入电压噪声密度:35nV/√Hz
高度:1.3mm
宽度:1.7mm
安装类型:贴片
封装类型:SOT-25
电源类型:双/单
每片芯片通道数目:1
引脚数目:5
典型单电源电压:2.7→16 V
典型增加带宽产品:1.9MHz
典型双电源电压:±5V
典型转换速率:2.2V/µs
最大工作频率:10 kHz
最低工作温度:-40°C
最高工作温度:+125°C
典型电压增益:115 dB
轨对轨:轨到轨输出
尺寸:3.1 x 1.7 x 1.3mm
长度:3.1mm
典型输入电压噪声密度:35nV/√Hz
高度:1.3mm
宽度:1.7mm
TLV271IW5-7引脚图
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