SI2308BDS-T1-GE3
- 厂商名称Vishay
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，60 V，2.3 A，0.13 ohm，TO-236，表面安装
- 英文描述N-channel MOSFET Transistor 1.9 A 60 V，3-Pin SOT-23
- 数据手册SI2308BDS-T1-GE3数据手册Datasheet PDF
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SI2308BDS-T1-GE3概述
SI2308BDS-T1-GE3是N沟道TrenchFET®功率MOSFET，工作温度为175°C。
100%Rg测试
100%用户界面测试
±20V栅源电压
应用
工业
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±20V栅源电压
应用
工业
SI2308BDS-T1-GE3中文参数
晶体管极性:N沟道
漏源电压，Vds:60V
电流，Id连续:2.3A
在电阻RDS（上）:0.13欧姆
晶体管封装类型:TO-236
晶体管安装:表面安装
电压 Rds测量:10V
阈值电压Vgs:3V
功耗Pd:1.09W
针脚数:3引脚
工作温度最高值:150°C
漏源电压，Vds:60V
电流，Id连续:2.3A
在电阻RDS（上）:0.13欧姆
晶体管封装类型:TO-236
晶体管安装:表面安装
电压 Rds测量:10V
阈值电压Vgs:3V
功耗Pd:1.09W
针脚数:3引脚
工作温度最高值:150°C
SI2308BDS-T1-GE3引脚图
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