IRF640PBF
- 厂商名称Vishay
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，200 V，18 A，0.18 ohm，TO-220AB，通孔
- 英文描述MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
- 数据手册IRF640PBF数据手册Datasheet PDF
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IRF640PBF概述
IRF640PBF是一款200V N沟道功率MOSFET，第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计和低导通电阻的最佳组合。该封装普遍适用于功率耗散水平约为50W的所有商业工业应用。
动态dV/dt额定值
重复雪崩额定值
175°C工作温度
易于并行
简单的驱动要求
应用
电源管理
动态dV/dt额定值
重复雪崩额定值
175°C工作温度
易于并行
简单的驱动要求
应用
电源管理
IRF640PBF中文参数
| 通道类型 | N | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 18 A | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最大漏源电压 | 200 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | TO-220AB | 最低工作温度 | -55 °C |
| 安装类型 | 通孔 | 典型栅极电荷@Vgs | 70 nC @ 10 V |
| 引脚数目 | 3 | 高度 | 9.01mm |
| 最大漏源电阻值 | 180 mΩ | 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道模式 | 增强 | 长度 | 10.41mm |
| 最小栅阈值电压 | 2V | 宽度 | 4.7mm |
| 最大功率耗散 | 125 W | 晶体管材料 | Si |
IRF640PBF引脚图
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