IRF640NPBF
- 厂商名称英飞凌
- 元件分类MOS管
- 中文描述英飞凌Infineon MOSFET,HEXFET系列,N沟道,Si,Vds=200 V,18 A,3引脚TO-220AB封装
- 英文描述Power Field-Effect Transistor,18A I(D),200V,0.15ohm,1-Element,N-Channel,Silicon,Metal-Oxide Semiconductor FET,TO-220AB,LEAD FREE,PLASTIC PACKAGE-3
- 数据手册IRF640NPBF数据手册Datasheet PDF
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IRF640NPBF概述
英飞凌公司的IRF640NPBF是一款200V单N沟道HEXFET功率MOSFET,TO-220AB封装.此MOSFET具有极低的单位面积导通电,额定动态dv/dt,耐用的快速开关以及全雪崩额定,功率MOSFET提供极高的效率和稳定性,用于多种应用.
漏极至源极电压:200V
栅-源电压：±20V
导通电阻Rds(on)为150mohm
25°C功率耗散Pd:150W
Vgs 10V 25°C时,连续漏电流Id:18A
工作结温范围:-55°C至175°C
应用范围
电源管理,工业,便携式器材,消费电子产品
漏极至源极电压:200V
栅-源电压：±20V
导通电阻Rds(on)为150mohm
25°C功率耗散Pd:150W
Vgs 10V 25°C时,连续漏电流Id:18A
工作结温范围:-55°C至175°C
应用范围
电源管理,工业,便携式器材,消费电子产品
IRF640NPBF中文参数
| 通道类型 | N | 最大功率耗散 | 150 W |
| 最大连续漏极电流 | 18 A | 晶体管配置 | 单 |
| 最大漏源电压 | 200 V | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 封装类型 | TO-220AB | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 安装类型 | 通孔 | 高度 | 8.77mm |
| 引脚数目 | 3 | 系列 | HEXFET |
| 最大漏源电阻值 | 150 mΩ | 最低工作温度 | -55 °C |
| 通道模式 | 增强 | 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大栅阈值电压 | 4V | 晶体管材料 | Si |
| 最小栅阈值电压 | 2V | 典型栅极电荷@Vgs | 67 nC @ 10 V |
IRF640NPBF引脚图
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