IRLML6401TRPBF
- 厂商名称英飞凌
- 元件分类MOS管
- 中文描述英飞凌Infineon MOSFET,HEXFET系列,P沟道,Si,Vds=12 V,4.3 A,3引脚微型封装
- 英文描述Power Field-Effect Transistor,4.3A I(D),12V,0.05ohm,1-Element,P-Channel,Silicon,Metal-oxide Semiconductor FET,LEAD FREE,MICRO-3
- 数据手册IRLML6401TRPBF数据手册Datasheet PDF
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IRLML6401TRPBF概述
英飞凌IRLML6401TRPBF是一款-12V单P沟道HEXFET功率MOSFET,与现有表面安装技术兼容.该MOSFET具有更高的可靠性,易于制造.
无卤素
MSL1,工业认证
兼容多个供应商
环保型
沟道MOSFET技术
±8V栅-源电压
0.01W/°C线性降额因子
应用范围
电源管理
无卤素
MSL1,工业认证
兼容多个供应商
环保型
沟道MOSFET技术
±8V栅-源电压
0.01W/°C线性降额因子
应用范围
电源管理
IRLML6401TRPBF中文参数
| 通道类型 | P | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 4.3 A | 最大栅源电压 | -8 V、+8 V |
| 最大漏源电压 | 12 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | 微型 | 典型栅极电荷@Vgs | 10 nC @ 5 V |
| 安装类型 | 表面贴装 | 宽度 | 1.4mm |
| 引脚数目 | 3 | 系列 | HEXFET |
| 最大漏源电阻值 | 50 mΩ | 高度 | 1.02mm |
| 通道模式 | 增强 | 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大栅阈值电压 | 0.95V | 长度 | 3.04mm |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V | 晶体管材料 | Si |
| 最大功率耗散 | 1.3 W | 最高工作温度 | +150 °C |
IRLML6401TRPBF引脚图
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