IRLML6402TRPBF
- 厂商名称英飞凌
- 元件分类MOS管
- 中文描述英飞凌Infineon MOSFET,HEXFET系列,P沟道,Si,Vds=20 V,3.7 A,3引脚SOT-23封装
- 英文描述Power Field-Effect Transistor,3.7A I(D),20V,0.065ohm,1-Element,P-Channel,Silicon,Metal-Oxide Semiconductor FET,TO-236AB,LEAD FREE,MICRO-3
- 数据手册IRLML6402TRPBF数据手册Datasheet PDF
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IRLML6402TRPBF概述
英飞凌IRLML6402PBF是一款-20V单P沟道HEXFET功率MOSFET,Micro3(SOT-23)封装.该MOSFET具有极低的单位面积导通电阻,坚固耐用,开关速度快,因此功率MOSFET可提供极高的效率与可靠性,可用于多种应用,例如电池和负载管理,便携式电子设备,PCMCIA卡,并且非常适合印刷电路板空间有限的应用.
漏极至源极电压(Vds):-20V
栅-源电压:±12V
Vgs-2.5V时,电阻Rds(on)为80mohm
25°C功率耗散Pd:1.3W
Vgs-4.5V 25°C时,连续漏电流Id:-3.7A
工作结温范围:-55°C至150°C
0.01W/°C线性降额因子
应用范围
电源管理,工业,便携式器材,消费电子产品
漏极至源极电压(Vds):-20V
栅-源电压:±12V
Vgs-2.5V时,电阻Rds(on)为80mohm
25°C功率耗散Pd:1.3W
Vgs-4.5V 25°C时,连续漏电流Id:-3.7A
工作结温范围:-55°C至150°C
0.01W/°C线性降额因子
应用范围
电源管理,工业,便携式器材,消费电子产品
IRLML6402TRPBF中文参数
| 通道类型 | P | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 3.7 A | 最大栅源电压 | -12 V、+12 V |
| 最大漏源电压 | 20 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | SOT-23 | 典型栅极电荷@Vgs | 8 nC @ 5 V |
| 安装类型 | 表面贴装 | 最低工作温度 | -55 °C |
| 引脚数目 | 3 | 晶体管材料 | Si |
| 最大漏源电阻值 | 65 mΩ | 长度 | 3.04mm |
| 通道模式 | 增强 | 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大栅阈值电压 | 1.2V | 系列 | HEXFET |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V | 宽度 | 1.4mm |
| 最大功率耗散 | 1.3 W | 高度 | 1.02mm |
IRLML6402TRPBF引脚图
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