IRF540ZPBF
- 厂商名称Infineon
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率MOSFET，N沟道，100 V，36 A，0.0265 ohm，TO-220AB，通孔
- 英文描述Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab)TO-220AB Tube
- 数据手册IRF540ZPBF数据手册Datasheet PDF
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IRF540ZPBF概述
IRF540ZPBF是一款100V单N沟道HEXFET®功率MOSFET，它利用最新的处理技术实现每硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特点包括175°C的结工作温度、快速的开关速度和改进的重复雪崩额定值。它的特点结合在一起，使这种设计成为适用于各种应用的极其高效和可靠的设备。
先进的工艺技术
超低导通电阻
允许重复雪崩高达Tjmax
175°C工作温度
应用
车用
先进的工艺技术
超低导通电阻
允许重复雪崩高达Tjmax
175°C工作温度
应用
车用
IRF540ZPBF中文参数
| 通道类型 | N | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 36 A | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最大漏源电压 | 100 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | TO-220AB | 系列 | HEXFET |
| 安装类型 | 通孔 | 典型栅极电荷@Vgs | 42 nC @ 10 V |
| 引脚数目 | 3 | 长度 | 10.54mm |
| 最大漏源电阻值 | 27 mΩ | 晶体管材料 | Si |
| 通道模式 | 增强 | 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大栅阈值电压 | 4V | 最高工作温度 | +175 °C |
| 最小栅阈值电压 | 2V | 宽度 | 4.69mm |
| 最大功率耗散 | 92 W | 高度 | 8.77mm |
IRF540ZPBF引脚图
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