NTGS3443T1G
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，P沟道，20 V，3.1 A，0.058 ohm，TSOP，表面安装
- 英文描述Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin TSOP T/R
- 数据手册NTGS3443T1G数据手册Datasheet PDF
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NTGS3443T1G概述
NTGS3443T1G是P沟道功率MOSFET，提供-20V漏源电压和-2.2A连续漏电流。它适用于便携式和电池供电产品、蜂窝和无绳电话以及PCMCIA卡的电源管理。
超低RDS（ON）
更高的效率延长电池寿命
微型表面贴装封装
-55至150°C工作温度范围
应用
便携式器材，消费电子产品，电源管理，工业
超低RDS（ON）
更高的效率延长电池寿命
微型表面贴装封装
-55至150°C工作温度范围
应用
便携式器材，消费电子产品，电源管理，工业
NTGS3443T1G中文参数
| 通道类型 | P | 最大栅源电压 | +12 V |
| 最大连续漏极电流 | 2.2 A | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电压 | 20 V | 典型栅极电荷@Vgs | 7.5 nC @ 4.5 V |
| 封装类型 | TSOP | 长度 | 3.1mm |
| 安装类型 | 表面贴装 | 汽车标准 | AEC-Q101 |
| 引脚数目 | 6 | 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大漏源电阻值 | 100 mΩ | 最低工作温度 | -55 °C |
| 通道模式 | 增强 | 高度 | 1mm |
| 最大功率耗散 | 2 W | 宽度 | 3mm |
| 晶体管配置 | 单 |
NTGS3443T1G引脚图
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