NTMFS5C670NLT1G
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，60 V，71 A，0.0051 ohm，DFN，表面安装
- 英文描述Trans MOSFET N-CH 60V 17A 5-Pin(4+Tab)SO-FL T/R
- 数据手册NTMFS5C670NLT1G数据手册Datasheet PDF
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NTMFS5C670NLT1G概述
NTMFS5C670NLT1G是单N沟道功率MOSFET，具有低RDS(on)，低输入电容，符合RoHS等特性。
其优势具有最小化传导损耗和最小化开关损耗。
应用领域：
高性能DC-DC转换器
负载模块点
网通/电信
服务器
其优势具有最小化传导损耗和最小化开关损耗。
应用领域：
高性能DC-DC转换器
负载模块点
网通/电信
服务器
NTMFS5C670NLT1G中文参数
| 通道类型 | N | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最大连续漏极电流 | 71 A | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电压 | 60 V | 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装类型 | DFN | 晶体管材料 | Si |
| 安装类型 | 表面贴装 | 宽度 | 6.1mm |
| 引脚数目 | 5 | 高度 | 1.95mm |
| 最大漏源电阻值 | 8.8 mΩ | 典型栅极电荷@Vgs | 20 nC @ 10 V，9 nC @ 4.5 V |
| 通道模式 | 增强 | 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大栅阈值电压 | 2V | 长度 | 5.1mm |
| 最大功率耗散 | 61 W | 正向二极管电压 | 1.2V |
| 晶体管配置 | 单 |
NTMFS5C670NLT1G引脚图
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