2N7000
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，60 V，200 mA，5 ohm，TO-92，通孔
- 英文描述Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
- 数据手册2N7000数据手册Datasheet PDF
- 在线购买
2N7000概述
2N7000是N沟道增强型场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺旨在最大限度地减少导通电阻，同时提供坚固、可靠和快速的开关性能。它可用于需要高达400mA DC的大多数应用，并可提供高达2A的脉冲电流。它还适用于低电压、低电流应用，例如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。
压控小信号开关
坚固可靠
压控小信号开关
坚固可靠
2N7000中文参数
| 通道类型 | N | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 200 mA | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最大漏源电压 | 60 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | TO-92 | 宽度 | 4.19mm |
| 安装类型 | 通孔 | 最低工作温度 | -55 °C |
| 引脚数目 | 3 | 高度 | 5.33mm |
| 最大漏源电阻值 | 5 Ω | 长度 | 5.2mm |
| 通道模式 | 增强 | 晶体管材料 | Si |
| 最小栅阈值电压 | 0.8V | 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 400 mW |
2N7000引脚图
爆款物料推荐
型号
价格