FDB075N15A
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，150 V，130 A，0.00625 ohm，TO-263(D2PAK)，表面安装
- 英文描述Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab)D2PAK T/R
- 数据手册FDB075N15A数据手册Datasheet PDF
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FDB075N15A概述
FDB075N15A是N沟道MOSFET，使用先进的PowerTrench®工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
特性
RDS(on)=6.25m?（典型值） VGS=10V，ID=100A
快速开关
低栅极电荷，QG=77nC（典型值）
高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
高功率和高电流处理能力
符合RoHS标准
应用
AC-DC商用电源
AC-DC商用电源-服务器和工作站
AC-DC商用电源-台式计算机
不间断电源
其他数据处理
电动自行车
特性
RDS(on)=6.25m?（典型值） VGS=10V，ID=100A
快速开关
低栅极电荷，QG=77nC（典型值）
高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
高功率和高电流处理能力
符合RoHS标准
应用
AC-DC商用电源
AC-DC商用电源-服务器和工作站
AC-DC商用电源-台式计算机
不间断电源
其他数据处理
电动自行车
FDB075N15A中文参数
| 通道类型 | N | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最大连续漏极电流 | 130 A | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电压 | 150 V | 宽度 | 9.65mm |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | 高度 | 4.83mm |
| 安装类型 | 表面贴装 | 长度 | 10.67mm |
| 引脚数目 | 3 | 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大漏源电阻值 | 7.5 mΩ | 最低工作温度 | -55 °C |
| 通道模式 | 增强 | 系列 | PowerTrench |
| 最小栅阈值电压 | 2V | 晶体管材料 | Si |
| 最大功率耗散 | 333 W | 典型栅极电荷@Vgs | 77 nC @ 10 V |
| 晶体管配置 | 单 |
FDB075N15A引脚图
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