IRF540NSTRRPBF
- 厂商名称Infineon
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，100 V，33 A，0.044 ohm，TO-263(D2PAK)，表面安装
- 英文描述MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
- 数据手册IRF540NSTRRPBF数据手册Datasheet PDF
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IRF540NSTRRPBF概述
IRF540NSTRRPBF是一种HEXFET®单N沟道功率MOSFET，利用先进的处理技术来实现每硅面积的导通电阻极低。这种优势与快速的开关速度和坚固的设备设计相结合，可为各种应用提供极其高效和可靠的操作。该表面安装电源封装能够容纳高达HEX-4的裸片尺寸。在任何现有的表面贴装封装中，它都具有最高的功率能力和最低的导通电阻。它的内部连接电阻低，因此适合大电流应用，在典型的表面安装应用中，其耗散高达2W。
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态dV/dt额定值
快速切换
完全雪崩评级
应用
电源管理
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态dV/dt额定值
快速切换
完全雪崩评级
应用
电源管理
IRF540NSTRRPBF中文参数
| 通道类型 | N | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 33 A | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最大漏源电压 | 100 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | 最低工作温度 | -55 °C |
| 安装类型 | 表面贴装 | 最高工作温度 | +175 °C |
| 引脚数目 | 3 | 系列 | HEXFET |
| 最大漏源电阻值 | 44 mΩ | 典型栅极电荷@Vgs | 71 nC @ 10 V |
| 通道模式 | 增强 | 高度 | 4.83mm |
| 最大栅阈值电压 | 4V | 宽度 | 9.65mm |
| 最小栅阈值电压 | 2V | 晶体管材料 | Si |
| 最大功率耗散 | 130 W | 长度 | 10.67mm |
IRF540NSTRRPBF引脚图
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