IRLR8726PBF
- 厂商名称Infineon
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，30 V，86 A，0.004 ohm，TO-252(DPAK)，表面安装
- 英文描述MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
- 数据手册IRLR8726PBF数据手册Datasheet PDF
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IRLR8726PBF概述
IRLR8726PBF是一款30V单N通道HEXFET®功率MOSFET，具有每沟道硅面积极低的导通电阻，并使用Trench MOSFET技术实现了快速开关性能。适用于高频同步降压，用于计算机处理器电源的转换器，具有同步整流的高频隔离式DC-DC转换器，适用于电信和工业用途。
在4.5V VGS时具有非常低的RDS（ON）
超低栅极阻抗
全面表征雪崩电压和电流
应用
电源管理，计算机和计算机周边，通信与网络，工业
在4.5V VGS时具有非常低的RDS（ON）
超低栅极阻抗
全面表征雪崩电压和电流
应用
电源管理，计算机和计算机周边，通信与网络，工业
IRLR8726PBF中文参数
| 通道类型 | N | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 86 A | 最大栅源电压 | -12 V、+12 V |
| 最大漏源电压 | 30 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | 晶体管材料 | Si |
| 安装类型 | 表面贴装 | 最低工作温度 | -55 °C |
| 引脚数目 | 3 | 典型栅极电荷@Vgs | 15 nC @ 4.5 V |
| 最大漏源电阻值 | 6 mΩ | 长度 | 6.73mm |
| 通道模式 | 增强 | 宽度 | 6.22mm |
| 最大栅阈值电压 | 2.35V | 高度 | 2.39mm |
| 最小栅阈值电压 | 1.35V | 系列 | HEXFET |
| 最大功率耗散 | 75000 mW | 最高工作温度 | +175 °C |
IRLR8726PBF引脚图
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