FDMC86520DC
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管,MOSFET,N沟道,60 V,40 A,0.0051 ohm,PQFN,表面安装
- 英文描述Power Field-Effect Transistor,17A I(D),60V,0.0063ohm,1-Element,N-Channel,Silicon,Metal-oxide Semiconductor FET,MO-240BA,ROHS COMPLIANT,PLASTIC,POWER 33,QFN-8
- 数据手册FDMC86520DC数据手册Datasheet PDF
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FDMC86520DC概述
FDMC86520DC元器件N沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench®工艺生产的。同时结合了硅和Dual Cool?封装技术的发展，可提供最低的rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，同时可保持卓越的开关性能。
特性
Dual Cool?顶侧冷却PQFN封装
最大值rDS(on)=6.3 mΩ（VGS=10 V,ID=17 A
时）
最大值rDS(on)=8.7 mΩ（VGS=8 V,ID=14.5 A
时）
通态电阻rDS(on)
极低的高性能技术
符合RoHS标准
应用
发电和配电
特性
Dual Cool?顶侧冷却PQFN封装
最大值rDS(on)=6.3 mΩ（VGS=10 V,ID=17 A
时）
最大值rDS(on)=8.7 mΩ（VGS=8 V,ID=14.5 A
时）
通态电阻rDS(on)
极低的高性能技术
符合RoHS标准
应用
发电和配电
FDMC86520DC中文参数
| 通道类型 | N | 最大功率耗散 | 73 W |
| 最大连续漏极电流 | 17 A | 晶体管配置 | 单 |
| 最大漏源电压 | 60 V | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 封装类型 | Power 33 | 典型栅极电荷@Vgs | 29 nC @ 10 V |
| 安装类型 | 表面贴装 | 长度 | 3.3mm |
| 引脚数目 | 8 | 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大漏源电阻值 | 10.2 mΩ | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 通道模式 | 增强 | 晶体管材料 | Si |
| 最小栅阈值电压 | 2.5V | 宽度 | 3.3mm |
FDMC86520DC引脚图
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