FDMC3612
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，100 V，16 A，0.092 ohm，WDFN，表面安装
- 英文描述 N-channel MOSFET，16 A，100 V PowerTrench，8-Pin Power 33
- 数据手册FDMC3612数据手册Datasheet PDF
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FDMC3612概述
FDMC3612是一款N沟道MOSFET，采用先进的Power Trench®工艺生产，该工艺经过特别定制，可最大限度地降低通态电阻，同时保持卓越的开关性能。
FDMC3612中文参数
| 通道类型 | N | 最大功率耗散 | 35 W |
| 最大连续漏极电流 | 16 A | 晶体管配置 | 单 |
| 最大漏源电压 | 100 V | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 封装类型 | Power 33 | 典型栅极电荷@Vgs | 14.4 nC @ 10 V |
| 安装类型 | 表面贴装 | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 引脚数目 | 8 | 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大漏源电阻值 | 212 mΩ | 长度 | 3.3mm |
| 通道模式 | 增强 | 晶体管材料 | Si |
| 最小栅阈值电压 | 2V | 宽度 | 3.3mm |
FDMC3612引脚图
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