NTMS10P02R2G
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述单P沟道，增强模式功率MOSFET，-20V，-10A，14mΩ
- 英文描述Power MOSFET-10 Amps-20 Volts P-Channel Enhancement-Mode Single SOIC-8 Package
- 数据手册NTMS10P02R2G数据手册Datasheet PDF
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NTMS10P02R2G概述
功率MOSFET，?10 A，-20 V，P沟道增强模式，单SOIC?8封装
特性
超低R DS(on)
更高效率延长电池寿命
逻辑电平栅极驱动
微型SO-8表面贴装封装
二极管表现出高速、软恢复
雪崩能量指定
提供SOIC-8安装信息
应用
便携式和电池供电产品的电源管理
蜂窝电话和无绳电话
PCMCIA卡
特性
超低R DS(on)
更高效率延长电池寿命
逻辑电平栅极驱动
微型SO-8表面贴装封装
二极管表现出高速、软恢复
雪崩能量指定
提供SOIC-8安装信息
应用
便携式和电池供电产品的电源管理
蜂窝电话和无绳电话
PCMCIA卡
NTMS10P02R2G中文参数
| 制造商: | onsemi | Id-连续漏极电流: | 8.8 A |
| 产品种类: | MOSFET | Rds On-漏源导通电阻: | 20 mOhms |
| 技术: | Si | Vgs - 栅极-源极电压: | - 12 V, + 12 V |
| 安装风格: | SMD/SMT | Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.2 V |
| 封装 / 箱体: | SOIC-8 | Qg-栅极电荷: | 48 nC |
| 晶体管极性: | P-Channel | 最小工作温度: | - 55 C |
| 通道数量: | 1 Channel | 最大工作温度: | + 150 C |
| Vds-漏源极击穿电压: | 20 V | Pd-功率耗散: | 2.5 W |
NTMS10P02R2G引脚图
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