NTMFS5C612NLT1G
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述单N沟道，功率MOSFET，60V，196A，1.5mΩ
- 英文描述MOSFET NFET SO8FL 60V 219A 1.8MO
- 数据手册NTMFS5C612NLT1G数据手册Datasheet PDF
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NTMFS5C612NLT1G概述
功率MOSFET，60V，196A，1.5mΩ，单N沟道
特性优势
低R DS(on)
最小化传导损耗
低输入电容
最小化开关损耗
NTMFS5C612NLWF-用于增强光学检测的可润湿侧面选项
符合RoHS标准
应用
高性能DC-DC转换器
负载点模块
网通、电信
服务器
特性优势
低R DS(on)
最小化传导损耗
低输入电容
最小化开关损耗
NTMFS5C612NLWF-用于增强光学检测的可润湿侧面选项
符合RoHS标准
应用
高性能DC-DC转换器
负载点模块
网通、电信
服务器
NTMFS5C612NLT1G中文参数
| 制造商: | onsemi | Id-连续漏极电流: | 235 A |
| 产品种类: | MOSFET | Rds On-漏源导通电阻: | 1.5 mOhms |
| 技术: | Si | Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
| 安装风格: | SMD/SMT | Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.2 V |
| 封装 / 箱体: | SO-8FL-4 | Qg-栅极电荷: | 91 nC |
| 晶体管极性: | N-Channel | 最小工作温度: | - 55 C |
| 通道数量: | 1 Channel | 最大工作温度: | + 175 C |
| Vds-漏源极击穿电压: | 60 V | Pd-功率耗散: | 3.8 W |
NTMFS5C612NLT1G引脚图
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