FDA50N50
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，500 V，48 A，0.089 ohm，TO-3PN，通孔
- 英文描述Trans MOSFET N-CH 500V 48A 3-Pin(3+Tab)TO-3P Tube
- 数据手册FDA50N50数据手册Datasheet PDF
- 在线购买
FDA50N50概述
FDA50N50是采用高压平面条纹和DMOS技术生产的UniFET?N沟道MOSFET。它经过专门设计，可降低导通电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。它适用于开关功率转换器应用，例如功率因数校正（PFC），平板显示器（FPD）电视电源，ATX和电子灯镇流器。
改进的dV/dt功能
105nC典型的低栅极电荷
45pF典型的低Crss
经过100％雪崩测试
改进的dV/dt功能
105nC典型的低栅极电荷
45pF典型的低Crss
经过100％雪崩测试
FDA50N50中文参数
| 通道类型 | N | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最大连续漏极电流 | 48 A | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电压 | 500 V | 宽度 | 4.8mm |
| 封装类型 | TO-3P | 长度 | 15.6mm |
| 安装类型 | 通孔 | 最高工作温度 | +150 °C |
| 引脚数目 | 3 | 典型栅极电荷@Vgs | 105 nC @ 10 V |
| 最大漏源电阻值 | 105 mΩ | 最低工作温度 | -55 °C |
| 通道模式 | 增强 | 系列 | UniFET |
| 最小栅阈值电压 | 3V | 晶体管材料 | Si |
| 最大功率耗散 | 625 W | 高度 | 19.9mm |
| 晶体管配置 | 单 |
FDA50N50引脚图
爆款物料推荐
型号
价格