2N7002K-7
- 厂商名称Diodes
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N通道，60 V，300 mA，2 ohm，SOT-23，表面安装
- 英文描述MOSFET N-Channel <span>60V 300 mA 2 ohm SOT-23</span>
- 数据手册2N7002K-7数据手册Datasheet PDF
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2N7002K-7概述
2N7002K-7是一款N沟道增强模式MOSFET，设计用于最小化导通电阻(RDS(on))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效率电源管理应用的理想选择。它具有绿色塑料模制外壳，亚光锡退火处理的合金42端子，以及符合MIL-STD-202标准的可焊接引线框架。
UL94V-0可燃性等级
低导通电阻
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
静电保护高达2kV
无卤素
应用
电源管理，电机驱动与控制
UL94V-0可燃性等级
低导通电阻
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
静电保护高达2kV
无卤素
应用
电源管理，电机驱动与控制
2N7002K-7中文参数
制造商:Diodes Incorporated
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOT-23-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:380 mA
Rds On-漏源导通电阻:2 Ohms
Vgs-栅极-源极电压:-20 V，+20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1 V
Qg-栅极电荷:300 pC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+150 C
Pd-功率耗散:540 mW
通道模式:Enhancement
系列:2N7002K
配置:Single
下降时间:9.9 ns
高度:1 mm
长度:2.9 mm
上升时间:3.4 ns
晶体管类型:1 N-Channel
典型关闭延迟时间:15.7 ns
典型接通延迟时间:3.9 ns
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOT-23-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:380 mA
Rds On-漏源导通电阻:2 Ohms
Vgs-栅极-源极电压:-20 V，+20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1 V
Qg-栅极电荷:300 pC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+150 C
Pd-功率耗散:540 mW
通道模式:Enhancement
系列:2N7002K
配置:Single
下降时间:9.9 ns
高度:1 mm
长度:2.9 mm
上升时间:3.4 ns
晶体管类型:1 N-Channel
典型关闭延迟时间:15.7 ns
典型接通延迟时间:3.9 ns
2N7002K-7引脚图
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