DMG1012T-7
- 厂商名称Diodes
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，AEC-Q101，N通道，20 V，630 mA，0.3 ohm，SOT-523，表面安装
- 英文描述MOSFET N-Channel 20V 0.63A SOT523 Diodes Inc DMG1012T-7 N-channel MOSFET Transistor，0.63 A，20 V，3-Pin SOT-523
- 数据手册DMG1012T-7数据手册Datasheet PDF
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DMG1012T-7概述
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
快速开关速度
低输入/输出泄漏
高达2kV的ESD保护
低栅极阈值电压
低输入电容
快速开关速度
低输入/输出泄漏
高达2kV的ESD保护
DMG1012T-7中文参数
制造商:Diodes Incorporated
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOT-523-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:20 V
Id-连续漏极电流:630 mA
Rds On-漏源导通电阻:400 mOhms
Vgs-栅极-源极电压:-6 V，+6 V
Vgs th-栅源极阈值电压:500 mV
Qg-栅极电荷:736.6 pC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+150 C
Pd-功率耗散:280 mW
通道模式:Enhancement
系列:DMG1012
配置:Single
下降时间:12.3 ns
上升时间:7.4 ns
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOT-523-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:20 V
Id-连续漏极电流:630 mA
Rds On-漏源导通电阻:400 mOhms
Vgs-栅极-源极电压:-6 V，+6 V
Vgs th-栅源极阈值电压:500 mV
Qg-栅极电荷:736.6 pC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+150 C
Pd-功率耗散:280 mW
通道模式:Enhancement
系列:DMG1012
配置:Single
下降时间:12.3 ns
上升时间:7.4 ns
DMG1012T-7引脚图
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