NX7002AK,215
- 厂商名称Nexperia
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 190 mA, 3 ohm, TO-236AB, 表面安装
- 英文描述N-Channel MOSFET，300 mA，60 V NX7002AK，3-Pin SOT-23 Nexperia
- 数据手册NX7002AK,215数据手册Datasheet PDF
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NX7002AK,215概述
NX7002AK是一款采用沟槽式MOSFET技术的表面贴装器件（SMD）塑料封装的N沟道增强模式场效应晶体管（FET）。
极快的开关速度
高达1.5kV的ESD保护
应用
音频，电源管理，信号处理
极快的开关速度
高达1.5kV的ESD保护
应用
音频，电源管理，信号处理
NX7002AK,215中文参数
制造商:Nexperia
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOT-23-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:190 mA
Rds On-漏源导通电阻:4.5 Ohms
Vgs-栅极-源极电压:-20 V，+20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V
Qg-栅极电荷:330 pC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+150 C
Pd-功率耗散:325 mW
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降时间:5 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:7 ns
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOT-23-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:190 mA
Rds On-漏源导通电阻:4.5 Ohms
Vgs-栅极-源极电压:-20 V，+20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V
Qg-栅极电荷:330 pC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+150 C
Pd-功率耗散:325 mW
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降时间:5 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:7 ns
NX7002AK,215引脚图
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