2N7002ET1G
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，60 V，310 mA，0.86 ohm，SOT-23，表面安装
- 英文描述Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
- 数据手册2N7002ET1G数据手册Datasheet PDF
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2N7002ET1G概述
2N7002ET1G是采用Trench技术的N沟道小信号MOSFET，漏极至源极电压低。适用于低压侧负载开关和电平转换电路。
1.2A脉冲漏极电流
±20V栅源电压
无卤素
应用
工业，消费电子产品
1.2A脉冲漏极电流
±20V栅源电压
无卤素
应用
工业，消费电子产品
2N7002ET1G中文参数
| 制造商: | ON Semiconductor | 最大工作温度: | + 150 C |
| 产品种类: | MOSFET | Pd-功率耗散: | 420 mW |
| 技术: | Si | 通道模式: | Enhancement |
| 安装风格: | SMD/SMT | 配置: | Single |
| 封装 / 箱体: | SOT-23-3 | 高度: | 0.94 mm |
| 晶体管极性: | N-Channel | 长度: | 2.9 mm |
| 通道数量: | 1 Channel | 晶体管类型: | 1 N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压: | 60 V | 宽度: | 1.3 mm |
| Id-连续漏极电流: | 310 mA | 正向跨导 - 最小值: | 530 mS |
| Rds On-漏源导通电阻: | 2.5 Ohms | 下降时间: | 3.6 ns |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V | 产品类型: | MOSFET |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 1 V | 上升时间: | 1.2 ns |
| Qg-栅极电荷: | 0.81 nC | 典型关闭延迟时间: | 4.8 ns |
| 最小工作温度: | - 55 C | 典型接通延迟时间: | 1.7 ns |
2N7002ET1G引脚图
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