MMUN2233LT1G
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类三极管
- 中文描述晶体管，双极预偏置/数字，BRT，单路NPN，50 V，100 mA，4.7 kohm，47 kohm，0.1电阻比率
- 英文描述Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
- 数据手册MMUN2233LT1G数据手册Datasheet PDF
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MMUN2233LT1G概述
MMUN2233LT1G是带有单片偏置电阻器网络的NPN晶体管。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个具有单片偏置网络的晶体管，该偏置网络由两个电阻，一个串联基极电阻和一个基极发射极电阻组成。BRT通过将它们集成到单个设备中来消除这些单独的组件。BRT的使用可以减少系统成本和电路板空间。
简化电路设计
减少组件数量
符合AEC-Q101
具备PPAP
应用
工业
简化电路设计
减少组件数量
符合AEC-Q101
具备PPAP
应用
工业
MMUN2233LT1G中文参数
| 晶体管类型 | NPN | 晶体管配置 | 单 |
| 每片芯片元件数目 | 1 | 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.25 V |
| 最大连续集电极电流 | 100 mA | 典型电阻比 | 0.1 |
| 最大集电极-发射极电压 | 50 V | 最低工作温度 | -55 °C |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kΩ | 尺寸 | 2.9 x 1.3 x 0.94mm |
| 安装类型 | 表面贴装 | 宽度 | 1.3mm |
| 封装类型 | SOT-23 | 最高工作温度 | +150 °C |
| 引脚数目 | 3 | 高度 | 0.94mm |
| 最小直流电流增益 | 80 | 长度 | 2.9mm |
MMUN2233LT1G引脚图
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