据多家媒体报道，台积电已完成A16工艺开发与验证，并计划于今年第四季度进入量产阶段。
A16是台积电继2nm N2系列之后推出的新一代埃米级先进制程。
相比增强版2nm工艺N2P，A16在相同功耗下性能提升8%-10%；在相同性能下，功耗降低15%-20%，芯片逻辑密度提升约10%。
其核心突破，是一项新的供电架构—Super Power Rail（SPR）。
图源：朝鲜日报
传统芯片中，电源线和信号线都位于晶圆正面。
随着制程不断微缩，芯片内部空间越来越拥挤，信号布线和供电网络互相干扰，导致布线拥堵，同时还会产生电阻增加、电压下降（IR Drop）等问题。
台积电的解决方案，是把供电网络搬到晶圆背面。
通过背面供电技术，电源不再与信号线路在正面布线，而是通过背面触点直接向晶体管供电。
这样不仅可显著降低IR Drop，也释放了正面空间，让芯片能够继续提升性能和密度。
A16并没有大幅改变现有设计规则，通过背面直接接触技术，台积电保留了原有栅极密度、布局面积以及NanoFlex设计灵活性，让客户可以更容易从N2P迁移到A16。
图源：wccftech
目前，A16主要瞄准AI加速器、HPC等高性能芯片市场。
台积电计划以A16作为技术跳板，再迈向下一代1.4nm的A14工艺，A14目前正在研发，预计2028年量产，相比N2工艺，在相同性能下功耗最高降低30%，速度提升最高15%，逻辑密度提升超过20%。
与此同时，AI芯片竞争也正在推动先进封装需求爆发。
近日，台积电董事会批准了294.425亿美元资本支出，用于先进工艺和封装扩产。
同时，台积电CoWoS先进封装产能收紧，部分封装订单已转移至马来西亚工厂。
