8月13日消息，Intel CEO陈立武近日暗示，公司正在探索新的内存架构，以及将内存与CPU更紧密集成的方式。
与此同时，Intel还聘请了SK海力士前CEO李锡熙，担任Intel Foundry执行副总裁，负责先进封装、系统集成以及后端技术开发和制造。
陈立武在采访中表示：“我以前总是说，不要投资存储芯片，因为它是一种‘大宗’商品。但现在情况不同了，现在有很多新技术涌现。”他还提到，公司正在研究一些新的存储器架构，目前还不方便透露更多细节。
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Intel成立于1968年，1969年推出的首款商用产品，就是64位3101静态随机存储器，也就是SRAM。在上世纪80年代之前，Intel是一家相当成功的存储器制造商。
但到了20世纪80年代中期，日本以及后来的韩国、中国台湾地区竞争对手在DRAM市场快速崛起，价格竞争越来越激烈，Intel最终退出DRAM市场，转而把重心放到微处理器上。
当然，Intel也不是完全放弃内存。
2015年前后，Intel曾通过NAND闪存和Optane继续押注非易失性存储。
Optane基于与美光共同开发的3D XPoint架构，是一种介于DRAM和NAND之间的新型存储技术，希望在延迟、寿命和容量之间找到新的平衡。
但Optane最终未能实现预期的战略目标。2022年，Intel宣布停止未来Optane产品开发，并逐步退出相关业务。
与此同时，Intel也将NAND和SSD业务出售给SK海力士，后者后来成立了Solidigm。
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除了NAND和Optane，Intel还曾尝试过其他高带宽内存方案，例如HMC混合内存立方体，以及用于Xeon Phi处理器的MCDRAM。
这些技术都曾体现出Intel对高带宽、近内存计算和先进封装的兴趣，但最终均没有成为市场主流。
如今，随着AI算力需求爆发，内存再次变成关键资源。
HBM已经成为AI GPU的核心瓶颈之一，而未来CPU、GPU、AI加速器和内存之间的连接方式，也可能决定下一代数据中心芯片的竞争力。
这也是Intel重新关注内存架构的背景。
陈立武表示，目前市场对CPU的需求仍然旺盛，公司正在探索如何制造能够满足客户需求的CPU。他还提到，CPU和内存之间有很多可以实现堆叠的方式，同时也可以寻找新的内存架构。
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Intel已经有两个值得关注的方向。
一个是XBM。
Intel在2024年底公布了一项XBM相关专利，外界将其解读为一种可能挑战HBM的新型高带宽内存架构。
相比传统HBM依赖硅中介层的方案，XBM试图通过新的堆叠和互连方式，降低成本并提升可扩展性。
另一个是ZAM，也就是Z-Angle Memory。
今年2月，Intel宣布与软银旗下SAIMEMORY合作，推进ZAM下一代存储技术商业化。
该技术面向AI和高性能计算场景，目标是提供高容量、高带宽、低功耗的存储方案。按照规划，ZAM计划在2027财年推出原型产品，并在2029财年实现商业化。
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从XBM到ZAM，可以看出Intel并不是简单想回到传统DRAM市场，而是希望围绕AI时代的内存瓶颈，探索新的系统级解决方案。
这也和Intel高度关注的先进封装业务有关。
如果未来内存可以更紧密地堆叠在CPU或AI加速器附近，甚至通过先进封装实现更短互连、更高带宽和更低功耗，那么Intel Foundry就不只是做晶圆制造，还可以把逻辑芯片、内存、先进封装和系统集成放在同一个平台里。
这也是李锡熙加入Intel的重要意义。
消息数据来源：Counterpoint Research、路透社
