一、升级背景
随着芯片工艺迈入纳米级，器件栅氧层厚度降低，其对电过应力（EOS）的耐受能力显著下降。瞬态电压抑制二极管（TVS）作为电路保护核心器件，其性能直接决定整个电子系统的运行可靠性。与此同时，快充标准持续升级，通用PD快充最高电压已提升至48V，原有20V规格TVS无法满足适配需求，适配更高电压的传统TVS在浪涌测试中易发生损坏。
二、核心痛点
TVS瞬时功率计算公式为PPP=IPP×VC（其中IPP为通流量，VC为钳位电压）。当不动作电压VRWM提升时，钳位电压VC同步升高，在相同功率条件下，通流量IPP会随之减小，导致浪涌测试无法通过。
传统TVS的功率与封装严格绑定，若需提升功率，必须更换更大规格封装，进而需对PCB进行修改，不仅增加时间成本，部分小型PCB因空间限制，无法适配更大封装的TVS。
而MDD的TVS除了传统功率的TVS，还有在同样封装下，功率更高的TVS，可以提高EOS防护能力。
三、升级方案：封装不变，功率提升
SOD-123FL封装TVS升级后，参数对比：
| 关键参数 | 传统SMF系列 | 升级的SMF4L系列 |
| 功率 | 200W | 400W |
| 封装 | SOD-123FL | SOD-123FL |
| VRWM | 一样 | 一样 |
| VC | 一样 | 一样 |
| IPP | IPP | IPP*2 |
SMA封装TVS升级后，参数对比：
| 关键参数 | 传统SMAJ系列 | 升级的SMA6J系列 |
| 功率 | 400W | 600W |
| 封装 | SMA | SMA |
| VRWM | 一样 | 一样 |
| VC | 一样 | 一样 |
| IPP | IPP | IPP*1.5 |
SMB封装TVS升级后，参数对比：
| 关键参数 | 传统SMBJ系列 | 升级的1.0SMBJ系列 |
| 功率 | 600W | 1000W |
| 封装 | SMB | SMB |
| VRWM | 一样 | 一样 |
| VC | 一样 | 一样 |
| IPP | IPP | IPP*1.7 |
四、核心工艺优势
MDD的功率TVS，不管是传统功率的，还是升级版本的，生产工艺均是采用了Clip组焊工艺，比传统的两片式焊接工艺更先进。该工艺减少了焊接时锡膏的空洞率，提高IPP及可靠性。
五、推荐型号
在不改变封装的前提下，MDD通过技术升级，推出新一代大功率TVS，防护能力大幅提高，有样品需求可联系MDD原厂。
| TYPE NO. | Polarity | PPP(W) | VRWM(V) | VC(V) | IPP(A) | Package |
| SMF4L15CA | Bi | 400 | 15 | 24.4 | 16.4 | SOD-123FL |
| SMF4L24CA | Bi | 400 | 24 | 38.9 | 10.3 | SOD-123FL |
| SMF4L28CA | Bi | 400 | 28 | 45.4 | 8.8 | SOD-123FL |
| SMA6J24CA | Bi | 600 | 24 | 38.9 | 15.42 | SMA |
| SMA6J58CA | Bi | 600 | 58 | 93.6 | 6.41 | SMA |
| 1.0SMBJ15CA | Bi | 1000 | 15 | 24.4 | 41 | SMB |
| 1.0SMBJ24CA | Bi | 1000 | 24 | 38.9 | 25.8 | SMB |
| 1.0SMBJ48CA | Bi | 1000 | 48 | 77.4 | 13 | SMB |
