近日，美国一家成立仅3年的初创公司Substrate宣称，已经成功研发出一款性能媲美ASML EUV 的光刻机。
这家公司成立于2022年，团队规模仅约50人。其工程师表示：“在实现自主芯片制造的过程中，首先要突破的核心难题就是光刻技术。最终的目标是让台积电和ASML退出市场。”
据介绍，Substrate采用了一种全新的光刻方式。其设备通过粒子加速器产生短波长 X射线光源，可以形成更细的光束，打印出12nm的图案，性能接近目前最先进的 High-NA EUV光刻机。
要知道，一台ASML的High-NA EUV光刻机售价高达4亿美元以上，而Substrate的方案目标是实现更低成本、更小体积。
图源：Jim Wilson/Pool via REUTERS
根据公司披露的数据，这款X射线光刻设备已部分克服了长期困扰行业的技术瓶颈，性能表现如下：
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可在 2nm、1nm 以及可能更远节点实现所有层的单次曝光；
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分辨率与高数值孔径极紫外光相当；
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已证实12nm特征；
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能够呈现复杂、任意的模式；
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套刻精度≤1.6 nm，全晶圆CDU≤0.25 nm，线边缘粗糙度(LER)≤1 nm，LCDU≤1.5 nm；
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先进晶圆的生产成本将比现有方案降低 50%。
如果这些数据属实，这项技术有望在性能上接近甚至超越ASML最新EUV设备，同时大幅降低制造成本。
图源：theedgesingapore
Substrate表示，光刻机只是公司计划的第一步。下一步目标是建立美国本土晶圆制造能力，进入晶圆代工领域，与台积电展开直接竞争。
公司希望通过以远低于现有成本的光刻机，进一步降低芯片制造门槛。
目前，Substrate已获得超过1亿美元融资，公司估值达到10亿美元。不过，行业普遍认为，要真正落地量产仍面临巨大挑战。
先进工艺研发往往需要数十亿美元投入，而建设一座先进晶圆厂的成本高达150亿美元以上，并且需要长期的制造经验与工艺积累。
对于英特尔、三星等巨头来说，完善这类工艺仍然困难重重，Substrate的目标之路也同样艰难。
消息数据来源：《路透社》、《彭博社》、theedgesingapore
