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米客方德SD NAND磨损均衡技术

2024-12-11 17:57:35阅读量:820

今天再和大家聊一聊SD NAND内部的另外一个核心技术SD NAND:磨损均衡(Wear Leveling)。

 

SD NAND内部主要由NAND Flash和Flash Controller组成,大多数人把NAND FLASH 叫做闪存,是一种长寿命的非易失性的存储器,即使在断电情况下仍能保持所存储的数据信息。此外,SD NAND还在其内部集成了主控,用于完成擦写均衡、坏块管理、ECC校验等功能。整体的架构如下所示。

 MK SD NAND整体框架

图一:MK SD NAND整体框架

 

而磨损均衡 (Wear Leveling),就是让SD NAND中的每个闪存块的擦除都保持均衡。每一个闪存都是有寿命的,Nand Flash在架构上可以分为SLC、pSLC 、MLC和TLC。它们的区别如下:

 

SLC 英文全称为Single-Level Cell ,即1bit/cell,每一个单位存储一位数据。速度快寿命长,价格贵(约MLC的3倍以上的价格),约10万次擦写寿命。

MLC 全称为 Multi-Level Cell,即2bit/cell,每一个单位存储二位数据。速度一般寿命一般,价格一般,约3000-10000次擦写寿命。MLC通过使用大量的电压等级,每个单元储存二位数据,数据密度比较大。因此,MLC架构可以有比较好的储存密度。

TLC 全称为 Trinary-Level Cell,即3bit/cell,也可以叫8LC,需要访问的时间更长,因此传输速度更慢。TLC价格便宜,但是速度慢寿命短,约1000次擦写寿命。

pSLC全称为 Pseudo-Single Level Cell(伪单层单元)是一种NAND闪存技术,它通过软件算法和管理策略在MLC或TLC闪存上模拟SLC(单层单元)的工作方式,使得每个存储单元仅存储一个数据位,从而提升写入性能、耐用性和可靠性,同时降低成本,是一种在性能和成本之间取得平衡的存储解决方案,约3万次擦写寿命。

 

 

产品类型

型号

容量

Flash类型

关键特征

工作温度

封装

尺寸

SD NAND

(MKDV系列)

MKDV1GIL-AST

1Gbit

SLC

工业级宽温
    P/E Cycles 10万次
    数据保持力10年

 -40℃~85℃

LGA-8

6.0x8.0mm

MKDV2GIL-AST

2Gbit

MKDV4GIL-AST

4Gbit

MKDV8GIL-AST

8Gbit

MKDV1GCL-ABA

1Gbit

SLC

C6, P/E Cycles 6万次

 -25℃~85℃

LGA-8

6.0x8.0mm

MKDV2GCL-ABB

2Gbit

MKDV4GCL-ABB

4Gbit

MKDV08GIL-STPA

8Gbit

pSLC

P/E Cycles 3万次,工业级
    C10, U1, V10
    支持1.8v/3.3v IO电压

-40℃~85℃

LGA-8

6.6x8.0mm

MKDV16GIL-STPA

16Gbit

 

 

MKDV16GCL-STP

16Gbit

MLC

C10, U1, V10, A2

 -25℃~85℃

LGA-8

6.6x8.0mm

MKDV32GCL-STP

32Gbit

MKDV64GCL-STP

64Gbit

SD NAND

(MKDN系列)

MKDN016GCL-AA 

16Gbit

MLC

C10, U1, V10, A2
    支持1.8v/3.3v IO电压

 -25℃~85℃

LGA-16

9.0x12.5mm

MKDN032GCL-AA 

32Gbit

MKDN064GCL-AA 

64Gbit

MKDN128GCL-ZA 

128Gbit

TLC

LDPC纠错算法
    C10, U3, V30, A2
    支持1.8v/3.3v IO电压
    支持 Smart 功能,动态监测 Flash 健康状况

 -25℃~85℃

LGA-16

9.0x12.5mm

MKDN256GCL-ZA

256Gbit

MKDN512GCL-ZAA

512Gbit

MKDN032GIL-AA 

32Gbit

pSLC

P/E Cycles 3万次, 工业级
    C10, U1, V10, A2
    支持1.8v/3.3v IO电压

-40℃~85℃

LGA-16

9.0x12.5mm

MKDN064GIL-ZA 

64Gbit

 

 

如果用户数据在某些闪存块上频繁的被使用,达到一定的写入/擦除次数后,那么SD NAND就会英年早逝。相反,有了磨损平衡技术,每一个闪存块都能雨露均沾,这样就提高了产品的使用寿命。

SD NAND 

业界的磨损均衡算法,主要有动态磨损均衡和静态磨损均衡。动态磨损平衡算法是把热数据写到年轻的块上,即在拿一个新的闪存块用来写的时候,挑选擦写次数小的;静态磨损平衡算法是把冷数据写到年老的块上,即把冷数据搬到擦写次数比较多的闪存块上。两者各有优缺点,MK SD NAND则是采用动态与静态磨损结合的磨损均衡管理算法,实现最佳的均衡效果。

MK SD NAND 

MK-米客方德是一家专注于嵌入式存储的高新技术企业,研发中心设在合肥、新竹,在深圳和香港设有营运据点。MK的产品涵盖了各种主流的容量和接口,SD NAND、eMMC、存储卡广泛应用于工业、车载、医疗、电力、储能、智能穿戴、轨道交通等领域,并可提供客制化的存储解决方案。

应用 

 

MK米客方德不断钻研技术创新,推动工业进步,致力于为客户带来更优质的产品以及服务体验。

 

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