TOLL(Transistor Outline Leadless)封装是一种先进的贴片式封装，其特点是无引脚设计，封装尺寸仅为9.90 mm×11.68 mm×2.3 mm(L×W×H)，大大减小了封装尺寸，降低了PCB占板面积和高度，其紧凑的体积和优化的散热路径，提高了散热效率，改善电磁干扰（EMI）并降低了寄生电感和封装电阻。非常适合高功率密度应用场合，目前已广泛应用于两轮车、电动车，锂电化成设备，无人机，光伏，储能等大电流、高功率密度应用场景。
1、
TOLL封装优势
1、体积小
TOLL封装以其紧凑的体积著称，相比传统封装方式（如TO-263-3L/7L），TOLL封装的PCB占板面积减少了30%，高度降低了50%，电路板空间减少60%。这种小体积设计非常适合高功率密度应用场合。
2、低封装电阻与寄生电感
TOLL封装具有较低的封装电阻和寄生电感，这带来了更小的导通阻抗、更高的峰值电流以及更强的EMI（电磁干扰）抑制能力。可以减少大功率应用中并联MOSFET的数量，提高功率密度，进而降低生产成本。
3、优秀的散热性能
TOLL封装具备优秀的散热性能，其散热路径为Junction → Case → Solder → PCB → VIAs → PCB → TIM → Heatsink，虽然路径相对较长，但散热效率依然很高。这有助于降低器件温升，提高产品的可靠性和寿命。
4、
高电流承载能力
由于其独特的封装结构，TOLL封装能够承载更高的电流，满足大功率应用的需求。
2、
TOLL封装市场应用
1、
两轮车、电动车
TOLL封装MOSFET在两轮车及电动车的动力控制系统中被广泛应用。其高电流承载能力和低导通阻抗有助于提升车辆的动力性能和效率。在锂电池保护BMS系统中，TOLL封装MOSFET用于控制电池的充放电过程，保护电池免受过充、过放等损害。其低寄生电感和高热性能确保了电池系统的安全稳定运行。
2、锂电化成
在国家双碳政策下，新能源市场火爆，锂电池需求量暴增，且成逐年上升趋势。化成和分容设备对电流和电压的测量精度有很高的要求，DC-DC模块侧重于满足客户对锂电池充放电的功能需求，TOLL封装MOSFET其低损耗、高效、可靠的特点有助于提升系统效率和稳定性及测量精度。
3、无人机
随着无人机技术的日益成熟，无人机在工业、农业、国防等领域的应用也越来越广泛。TOLL封装MOSFET具有极低的内阻和优异的开关速度。在无人机运行过程中，它可以迅速响应各种指令，实现精确控制。同时，低内阻的特性也保证了无人机在飞行过程中，电源效率更高，续航时间更长。在极端环境下，如高温、高湿、高海拔等，它仍能保持稳定的性能，确保无人机在各种复杂环境下都能正常工作。
4、光伏储能系统
如今，新能源市场越来越火热，在光伏系统MPPT、逆变器及DCDC转换等应用中，在储能系统PCS、BMS、DC-DC转换等应用中，对功率器件各方面要求未来越高，TOLL封装MOS优势能更好的贴合各种应用场景要求。
3、TOLL封装MOSFET选型推荐
矽普半导体秉持着技术、品质、服务为理念，专注于功率半导体进口替代，奋力推进功率半导体国产化，矽普SGT技术已通过如下专利，旨在优化产品的FOM性能，为客户提供更具性价比的产品选择。
TOLL封装产品选型推荐如下：
| Product |
Process |
Voltage Unit: V |
Id Unit: A |
Vgs(th) Unit: V |
Ron Typ. Vgs=10V Unit: mR |
Ron Typ. Vgs=4.5V Unit: mR |
产品描述 |
| SP30N01AATO |
Trench |
30 |
290 |
1.8 |
0.6 |
0.9 |
中低压MOSFET产品，N沟道，耐压：30V,电流：290A,RDSON:0.6mR |
| SP30N01ATO |
Trench |
40 |
210 |
1.8 |
0.8 |
1.2 |
中低压MOSFET产品，N沟道，耐压：30V,电流：210A,RDSON:0.8mR |
| SP40N01AGTO |
SGT |
40 |
350 |
1.8 |
0.65 |
0.85 |
大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：40V，电流：350A,Rdson：0.65mR |
| SP40N01AGHTO |
SGT |
40 |
370 |
2.9 |
0.75 |
|
大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：40V，电流：370A,Rdson：0.75mR |
| SP40N01GTO |
SGT |
40 |
230 |
1.7 |
1 |
1.5 |
大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：40V，电流：230A,Rdson：1mR |
| SP40N01GHTO |
SGT |
40 |
230 |
3 |
1 |
|
大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：40V，电流：230A,Rdson：1mR |
| SP60N01BGHTO |
SGT |
60 |
330 |
3 |
1.3 |
|
大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：60V，电流：330A,Rdson：1.3mR |
| SP85N01GHTO |
SGT |
85 |
390 |
3 |
1 |
|
大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：85V，电流：390A,Rdson：1mR |
| SP85N02AGHTO |
SGT |
85 |
310 |
3 |
1.7 |
|
大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：85V，电流：310A,Rdson：1.7mR |
| SP85N02GHTO |
SGT |
85 |
230 |
3 |
2.1 |
|
大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：85V，电流：230A,Rdson：2.1mR |
| SP010N01BGHTO |
SGT |
100 |
370 |
3 |
1.2 |
|
大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：100V，电流：370A,Rdson：1.2mR |
| SP010N02AGHTO |
SGT |
100 |
340 |
3 |
1.3 |
|
大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：100V，电流：340A,Rdson：1.3mR |
| SP010N02GHTO |
SGT |
100 |
260 |
3.2 |
1.6 |
|
大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：100V，电流：260A,Rdson：1.6mR |
| SP010N03AGHTO |
SGT |
100 |
240 |
3 |
2.6 |
|
大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：100V，电流：240A,Rdson：2.6mR |
| SP011N02GHTO |
SGT |
110 |
260 |
3 |
2 |
|
大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：110V，电流：260A,Rdson：2mR |
| SP011N03AGHTO |
SGT |
110 |
240 |
3 |
2.7 |
|
大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：110V，电流：240A,Rdson：2.7mR |
| SP012N02AGHTO |
SGT |
120 |
300 |
3.3 |
1.9 |
|
大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：120V，电流：300A,Rdson：1.9mR |
| SP012N03BGHTO |
SGT |
120 |
220 |
3.1 |
3.2 |
|
大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：120V，电流：220A,Rdson：3.2mR |
| SP015N03BGHTO |
SGT |
150 |
260 |
3 |
3.3 |
|
大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：150V，电流：260A,Rdson：3.3mR |
| SP015N06GHTO |
SGT |
150 |
185 |
3 |
5.7 |
|
大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：150V，电流：185A,Rdson：5.7mR |
| SP020N09GHTO |
SGT |
200 |
140 |
3 |
8.3 |
|
大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：200V，电流：140A,Rdson：8.3mR |
关于矽普半导体
矽普半导体”成立于2017年10月，是一家专业从事于半导体分立器件研发、设计及销售的高新技术企业。公司专注于功率半导体器件进口替代，努力成为国内领先，国际知名的行业厂商。公司总部位于合肥市高新区，研发中心位于上海张江高科，深圳龙华区设有办事处。公司技术人员占比30%，核心成员均有行业内十余年的研发经验，精通功率半导体器件的技术、应用、市场。 矽普半导体产品以20V-250V的中低压MOSFET和1200V高压 SiC MOS为主，公司产品型号丰富，广泛运用于消费类电子与家电、新能源、工业马达驱动、汽车电子等市场领域。 矽普半导体产品已导入国内知名企业，有着一套完整的研发、销售和服务体系。结合自身技术优势，与行业内知名晶圆代工厂和一线封装测试代工厂紧密合作，在芯片设计、晶圆流片、封装测试、可靠性测试方面建立了完善的质量管理体系，确保产品优质和供货稳定。
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