常州银河世纪微电子股份有限公司（股票代码：688689.SH，以下简称“银河微电”或“公司”），是一家专注于半导体分立器件研发、生产和销售的高新技术企业，具备IDM模式下的一体化经营能力。产品线涵盖分立器件芯片、整流器件、保护器件、小信号、MOSFET、碳化硅、光电器件、模拟IC等，可为客户提供适用性强、可靠性高的系列产品及技术解决方案，满足客户一站式采购需求。

银河微电工厂位于江苏省常州市新北区，占地面积40000平方米，净化车间面积5万㎡，公司员工人数超千人，服务团队超百人，研发团队由近200名专业技术人员组成，拥有近60年的半导体器件制造经验。

历史沿革

公司起源于1964年常州无线电元件七厂，1985年引进国内第一条塑封二极管生产线；2006年改制成立常州银河世纪微电子有限公司，2018年正式加入国际汽车电子协会元件技术委员会（AEC），并于2021年1月27日在上交所上市。

主要产品及应用

公司主要产品包括各类MOSFETs，保护器件、整流器件、晶体管、模拟ICs、光电器件、IGBT、IPM、SiC和GaN器件。

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公司产品广泛应用于计算机及周边设备、家用电器、适配器及电源、网络通信、汽车电子、工业控制等领域；公司已有长期合作客户包括创维、格力、TCL、美的、赛尔康、航嘉、普联技术、吉祥腾达、比亚迪等知名客户，同时公司积极开发中高端应用领域客户，与三星、戴尔、惠普、台达、光宝、群光、中兴通讯、施耐德、西门子等中高端客户开展合作，部分客户已经实现小批量配套。

在市场规模方面，银河微电多次被评为“功率器件十强企业"、“分立器件封装产能十强"，在优势产品小信号器件领域市场占有率超过5%，属于规模较大的领先企业。

研发能力

公司在半导体芯片及封装技术领域持续研发，提供有竞争力的产品及方案服务。银河微电子拥有多支经验丰富的研发团队，在常州、杭州、上海、台湾设有研发中心，致力于MOSFET芯片，IGBT芯片，IC芯片，第三代宽禁带半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等产品的芯片设计开发工作，并利用当地的半导体制程完成芯片的流片。

2020年至今累计研发投入上亿元，车规级产品产线投资5亿多元，CNAS标准实验室投资超亿元。已获得国家有效专利350项，其中发明专利25项，掌握20多个门类、100多种封装外形产品的设计与制造工艺，量产9000多个规格型号的分立器件细分行业内分立器件品种最为齐全的领先企业。

品质管控

以“客户需求为关注焦点”，全面贯彻国际标注化管控体系，充分运用APQP、FMEA、PPAP、MSA、SPC、DOE、PAT、SBL、SYL等工具，全方位管控产品实现的各个过程环节，围绕品质、效率（交期）提升，从实际出发，实事求是确保提供客户满意的产品和服务。

在设计预防方面，产品研发严格遵守APQP管理流程，充分运用 FMEA、DOE、防呆等管理技术，从源头确保品质。在制程监控方面，关键质量控制点推行MSA、SPC统计技术，设置限度样品、标准样品管理，制程品质实时监控。在试验与分析方面，公司拥有经验丰富的专业人员，齐全的检测、试验与分析设备。

以市场为导向，以客户为中心，以服务为特色，以品质为基础；诚实守信，拼搏创新，精益求精，合作共赢。银河微电努力为客户创造价值，为员工提供平台，为股东实现回报，为社会做出贡献，致力于成为国内一流、世界知名的半导体分立器件供应商。