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驱动IC是系统电能控制、分配、转换的“桥梁”
2024-03-05 15:10:26 阅读量：706

杰盛微JSMICRO

公司模式：JSMirco-SEMI是一家专业生产电源管理芯片（AC-DC/DC-DC）、MOSFETs系列（高中低压MOS以及COOL MOS）、二三极管、可控硅、读写芯片等的公司。

公司优势：由国家特聘专家以及留学欧美的海归博士团队创立的高科技公司,是业内能提供最全面的产品与解决方案的企业之一 ,拥有完整的自主研发体系并掌握多项国内领先的关键核心技术。

产品介绍

杰盛微FD6288T三相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片

杰盛微FD6288T是一款高压、高速功率MOSFET 高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。FD6288T为TSSOP20封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。

杰盛微FD6288T逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。杰盛微FD6288T的浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。

应用范围：电机控制、空调/洗衣机、通用逆变器、微型逆变器驱动

应用信息：在大多数的应用环境中，主控IC的PWM输出级电压往往只有3.3V或者5v的能力，并不足以驱动功率端的MOSFET,因此与MOSFET之间需要一个大功率的驱动级芯片用于驱动MOSFET的栅极电压，使驱动电压上升至12V-15V,这样才能使MOSFET处于稳定的完全打开状态。同时驱动芯片提高了功率器件的开关速率和减少了相关的开关功率损耗。

FD6288T性能参数介绍

•自举工作的浮地通道

•最高工作电压为+250V

•兼容3.3/5V输入逻辑

•dVs/dt耐受能力可达±50V/ns

•Vs 负偏压能力达-9V

•栅极驱动电压范围8V至20V

•高、低侧欠压锁定电路

-高侧欠压锁定正向阈值7.1V

-高侧欠压锁定负向阈值6.9V

-低侧欠压锁定正向阈值7V

-低侧欠压锁定负向阈值6.6V

•防直通死区逻辑

-死区时间设定200ns

•芯片传输延时特性

-开通/关断传输延时Ton/Toff =150ns/120ns

-延迟匹配时间小于50ns

•宽温度范围-40~125C

•输出级拉电流/灌电流能力1.5A/1.8A

•符合 RoSH标准

典型应用电路

自举电路设计指南

1.MOS的开关损耗：MOS的损耗一部分为开关损耗，另一部分为导通损耗，栅极电阻则主要影响了开关过程的损耗，阻值越大，开关过程越慢，电压电流的交叠区域越大，损耗也就越大。损耗过大最直接的影响就是会使芯片温度迅速上升，在高于150℃的条件下则会使器件面临失效的风险。

2.可靠性：与损耗相反，栅极电阻的阻值越小，MOSFET的开关速度就会越快。实际应用中，功率端电流较大，对寄生参数较为敏感，过高的开关速度会增加信号的不稳定性，轻则使电机的EMI过大，重则使电路发生损坏。其中最常见的有：

（1）栅极信号振铃，导致MOS损坏(如下图所示);

（2）dv/dt过快，vs端口承受过高或者过低的电压信号，导致驱动损坏。

推荐产品

型号：FD6288T 封装：TSSOP-20

型号: FD6288Q 封装：QFN-24

杰盛微DRV8870DDARPWM控制全桥马达驱动芯片

DRV8870DDAR用于PWM调速控制驱动直流电机，内部集成了H桥驱动及控制电路，峰值输出电流5A，连续输出电流可达3.5A，最高工作电压38V。通过输入端IN1、IN2输入PWM控制信号，可控制直流电机的速度和方向。

芯片内部同步调节电路可以降低PWM控制过程中的功耗。DRV8870DDAR具有超低功耗睡眠模式。

芯片内部集成了过流保护、短路保护、欠压保护、过温保护等保护功能。DRV8870DDAR可用外部电阻限制驱动电流。芯片采用ESOP-8封装，带有裸露散热焊盘，能有效对芯片散热。

DRV8870DDAR应用领域

•直流有刷电机

•智能家居

•工业设备

•办公设备

产品特性

•宽电源电压范围:8V~38V

•低导通电阻:0.5Ω

•低功耗待机模式

•可调输出限流

•集成同步调节功能

•正转、反转、刹车和待机模式

•5A峰值驱动电流，3.5A连续驱动电流

•电源欠压保护

•过流保护

•内置过温保护

•内置桥路短路保护

•ESOP-8封装

典型应用电路

封装信息

产品推荐

型号：DRV8870DDAR 封装：ESOP-8

型号：DRV8870DDAR-S 封装：SOP-8

JSM2113STR 4A 700V单相高低侧带SD功能栅极驱动芯片

JSM2113S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道。

JSM2113S的逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或 LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET,浮地通道最高工作电压可达700V。JSM2113S内部集成高低侧shutdown逻辑，可用于故障条件下的通断关断。JSM2113S采用宽体SOP-16(W )封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。

产品特性

·自举工作的浮动通道

·最高工作电压可达700V

·兼容3.3V、5V和15V输入逻辑

·dVS/dt耐受能力可达±50V/nsec

·VS负偏压能力达-9V

·栅极驱动电范围10V-20V

·宽温度范围-40~125°C

·集成欠压锁定功能

·周期性边缘触发关断逻辑

·输入输出同相位

·逻辑和电源地±5V偏移

·芯片开通关断延时特性

-- Ton/Toff=130ns/130ns

-- 高低侧延时匹配

·驱动电流能力：

--拉电流/灌电流=4.0A/4.0A

·高、低侧欠压锁定电路

-- 欠压锁定正向阈值8.9V

-- 欠压锁定负向阈值8.2V

·符合RoSH标准

应用范围

·通用逆变器

·交流和直流电源中的半桥和全桥转换器

·用于服务器、电信、IT和工业基础设施的高密度

·开关电源

·太阳能逆变器、电机驱动器和UPS

产品应用图

应用案例

JSM2113S可以适用多种应用场景。覆盖通用逆变器，交流和直流电源中的半桥和全桥转换器；也可以用于服务器、电信、IT和工业基础设施的高密度开关电源；太阳能逆变器、电机驱动器和UPS等。

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商品编号	厂家型号	规格	品牌名称	类目
C18195292	JSM2113STR	SOP-16	杰盛微	栅极驱动IC
C5804618	IR2113STRPBF	SOP-16300mil	杰盛微	栅极驱动IC
C5804617	IRS2113STRPBF	SOP-16300mil	杰盛微	栅极驱动IC
C5804624	TF2110M-TR	SOP-16300mil	杰盛微	栅极驱动IC
C19077359	JSM2110STR	SOP-16-300mil	杰盛微	栅极驱动IC
C5804621	IR2110STRPBF	SOP-16300mil	杰盛微	栅极驱动IC
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L7805CV-DG/线性稳压器(LDO)		0.5026
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