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750V 4A半桥式功率MOSFET/IGBT单相驱动芯片
2023-07-18 11:01:54 阅读量：1163

产品概述

IRS2113S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道。

IRS2113S的逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或 LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达750V。

IRS2113S内部集成高低侧shutdown逻辑，可用于故障条件下的通断关断。

IRS2113S采用宽体SOP-16-300mil封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。

主要特征

自举工作的浮动通道

最高工作电压可达 750 V

兼容 3.3V、5V 和 15V 输入逻辑

dVS/dt 耐受能力可达±50 V/nsec

VS 负偏压能力达-9V

栅极驱动电范围 10 V-20V

宽温度范围-40~125°C

集成欠压锁定功能

周期性边缘触发关断逻辑

输入输出同相位

逻辑和电源地±5V 偏移

芯片开通关断延时特性

-- Ton/Toff =130ns/130ns

-- 高低侧延时匹配

驱动电流能力：

拉电流/灌电流=4.0A/4.0A

高、低侧欠压锁定电路

欠压锁定正向阈值 8.9V

欠压锁定负向阈值 8.2V

符合 RoSH 标准

应用场景

通用逆变器

交流和直流电源中的半桥和全桥转换器

用于服务器、电信、IT 和工业基础设施的高密度

开关电源

太阳能逆变器、电机驱动器和 UPS

封装形式

应用案例

IRS2113STRPBF-JSM可以适用多种应用场景。覆盖通用逆变器，交流和直流电源中的半桥和全桥转换器；也可以用于服务器、电信、IT和工业基础设施的高密度开关电源；太阳能逆变器、电机驱动器和UPS等。

上图是IRS2113STRPBF-JSM用于逆变器的一种应用方案

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