华轩阳电子：应用于PoE通讯设备中功率器件的优化与性能提升

Power Over Ethernet（PoE）技术作为一项重要的创新，为我们的设备提供了方便、高效的供电方式。本文将聚焦于PoE通讯设备中的关键功率器件，即MOS管、TVS管和整流桥，探讨它们如何共同协作，以实现卓越的性能和稳定的运行。

   

  

POE通信电路图

 

1. MOS管的选型与优化

在PoE设备中，MOS管扮演着重要的角色，负责功率的开关调节。合理选型和优化MOS管的驱动电路对整体性能至关重要。首先，我们需要考虑MOS管的导通电阻、漏电流和导通损耗。通过采用低导通电阻和低漏电流的MOS管，可以降低功率损耗，提高系统效率。此外，适当优化驱动电路参数，如电源电压和脉冲宽度，也能有效提升MOS管的性能。

类型	HXY型号	沟道	封装	耐压/V	电流/A	RDon/mR
MOS	BSC070N10NS3G	N	DFN5X6-8L	100	70	3.5
MOS	BSC070N10NS3G	N	DFN5X6-8L	100	70	8.9
MOS	AOD2610E-HXY	N	TO252-2L	60	80	6
MOS	G70N10D	N	TO252-2L	100	70	7

 

同步整流MOSFET型号推荐

类型	HXY型号	沟道	封装	耐压/V	电流/A	RDon/mR
MOS	HXY10N65D	N	TO252-2L	650	10	320
MOS	IRFR120NTRPBF-HXY	N	TO252-2L	100	10	140
MOS	IRFR024N-HXY	N	TO252-2L	100	20	75

 

PFC和PWM控制MOSFET型号推荐

 

 2. TVS管的保护作用

Transient Voltage Suppressor（TVS）管在PoE设备中起到了重要的过压保护作用。在实际运行中，设备可能受到来自网络中的电压浪涌或突发噪声的影响。通过合理选择TVS管的参数和配置，可以保护设备免受这些突发电压的损害。这对于提高设备的可靠性和延长使用寿命具有重要意义。

 

3. 整流桥的效率与稳定性

在PoE设备中，整流桥负责将交流电源转换为直流电源。为了提高整体效率，我们可以优化整流桥的桥臂材料和结构，以降低导通和开关损耗。同时，合理设计整流桥的过渡电流和反向恢复时间，有助于提高设备的稳定性和响应速度。

 

类型	HXY型号	封装	耐压/V	电流/A
整流桥	MSB40M	UMSB	1000	4
快恢复二极管	MURD1060CT	TO252-2L	600	10
TVS	SMBJ58A	SMB	58	6.5

整流、TVS型号推荐

 

在PoE通讯设备中，MOS管、TVS管和整流桥三者之间的协同工作至关重要。通过合理的匹配和协调，我们可以实现功率转换的最佳效果，确保设备在各种工作条件下都能够

表现出色。同时，通过利用先进的制造工艺和材料，我们能够不断提升这些功率器件的性能，为整个PoE系统的稳定性和可靠性提供更强大的支持。