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  • 华轩阳电子:17款碳化硅MOSFET

  • 2024-03-13 10:20:49 阅读量:449

随着技术的不断迭代与创新,碳化硅(SiC)功率器件已在全球工业和新能源汽车领域展现出了强大的竞争优势。今天,将为大家解析并推荐华轩阳研发生产的17款高性能碳化硅MOSFET产品系列,这些产品凭借其出色的VDSSRDONID参数范围,以及TO247封装形式,为不同应用需求提供了最佳解决方案。 


  

 

产品概览


- 电压等级VDSS: 从650V1700V不等,覆盖了中高压电力转换系统的广泛需求。

- 导通电阻RDON:在16毫欧(mR)至160毫欧之间,实现了更低的导通损耗,尤其适合高效率电源转换系统,显著提升系统能效。

- 最大漏源电流ID:范围自19A120A,满足从小到大功率变换设备的电流处理能力要求。

- 封装形式: 主要采用行业标准的TO247封装,确保良好的散热性能和电路板布局兼容性。

 

接下来,我们将通过几款具有代表性的产品型号及其应用场景来进一步阐述:

 

案例一:低导通电阻在充电桩中的应用

我们的HC3M0032120KSiCMOS  1200V-32mR-63A”,拥有极低的32毫欧姆导通电阻及高达63A的电流承载能力,适用于快速充电站的设计,有效降低充电过程中的能量损失,提升充电效率,并减小体积,助力电动汽车行业的快速发展。点击查看详情>>

 

   

 

案例二:高压稳定应用于逆变器

对于需要高耐压特性的场合,比如新能源汽车主驱逆变器,选择HC2M0045170DSiCMOS1700V-45mR-72A”的产品是理想之选。这款器件能在高达1700V的工作电压下保持稳定的性能,同时具备适度的导通电阻和较高的电流容量,有助于实现车辆电动机的高效驱动和可靠运行。点击查看详情>>

 

  

 

案例三:紧凑型设计在光伏逆变器中的优势

在太阳能逆变器中,优化空间和成本至关重要。选择HC3M0015065K:“SiCMOS650V-15mR-120A”以其低导通电阻和适中的工作电压,在保证转换效率的同时减少了整体方案的尺寸和散热需求,大大提高了光伏能源的利用率。点击查看详情>>

 

  


以上仅为部分代表性案例,每款精心设计的碳化硅MOSFET产品都经过严苛测试和实际验证,旨在适应多样化的市场应用。无论是在智能电网、轨道交通、还是工业自动化领域,这些产品都能凭借其卓越的高温性能、开关速度快、寿命长等特点,为客户带来前所未有的能效升级和成本节省。

 

点击链接获取更多关于这17款碳化硅MOSFET产品的详细规格和技术资料,以满足您在具体项目中的定制化需求。


出货型号

封装

类型

电压VDS/V

电流

ID/A

内阻

mR

品牌

立创编码

HC3M0075120K

TO-247-4L

N

1200.0

32.0

75.0

HXY MOSFET

C19723860

HC3M0075120D

TO-247

N

1200.0

32.0

75.0

HXY MOSFET

C19723859

HC3M0015065D

TO-247

N

650.0

120.0

15.0

HXY MOSFET

C19723863

HC2M0080120K

TO-247-4L

N

1200.0

36.0

80.0

HXY MOSFET

C19723862

HC3M0060065K

TO-247-4L

N

650.0

29.0

60.0

HXY MOSFET

C19723858

HC2M0160120K

TO-247-4L

N

1200.0

19.0

160.0

HXY MOSFET

C19723861

HC3M0060065D

TO-247

N

650.0

29.0

60.0

HXY MOSFET

C19723857

HC2M1000170D

TO-247

N

1700.0

5.0

1000.0

HXY MOSFET

C19723852

HC3M0032120D

TO-247

N

1200.0

63.0

32.0

HXY MOSFET

C19723855

HC2M0040120K

TO-247-4L

N

1200.0

78.0

40.0

HXY MOSFET

C19723848

HC3M0016120D

TO-247

N

1200.0

115.0

16.0

HXY MOSFET

C19723854

HC2M0045170D

TO-247

N

1700.0

72.0

45.0

HXY MOSFET

C19723849

HC3M0032120K

TO-247-4L

N

1200.0

63.0

32.0

HXY MOSFET

C19723856

HC2M0160120D

TO-247

N

1200.0

18.0

160.0

HXY MOSFET

C19723851

HC2M0040120D

TO-247

N

1200.0

55.0

40.0

HXY MOSFET

C19723847

HC3M0015065K

TO-247-4L

N

650.0

120.0

15.0

HXY MOSFET

C19723853

HC2M0080120D

TO-247

N

1200.0

36.0

80.0

HXY MOSFET

C19723850



热门物料
型号
价格
1N4007 A7/通用二极管 0.013511
TMS320F28335PGFA/单片机(MCU/MPU/SOC) 51.46
TPS5430DDAR/DC-DC电源芯片 1.5
ADUM4160BRWZ-RL/隔离式USB芯片 23.08
TPS54331DR/DC-DC电源芯片 0.8037
TMS320F28027PTT/单片机(MCU/MPU/SOC) 12.65
OP2177ARZ-REEL7/运算放大器 8.07
MAX3232EUE+T/RS232芯片 6.2
XTR111AIDGQR/ADC/DAC-专用型 3.26
AM26C31IDR/缓冲器/驱动器/收发器 1.42
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