华轩阳电子:17款碳化硅MOSFET
2024-03-13 10:20:49阅读量:577
随着技术的不断迭代与创新,碳化硅(SiC)功率器件已在全球工业和新能源汽车领域展现出了强大的竞争优势。今天,将为大家解析并推荐华轩阳研发生产的17款高性能碳化硅MOSFET产品系列,这些产品凭借其出色的VDSS、RDON和ID参数范围,以及TO247封装形式,为不同应用需求提供了最佳解决方案。
产品概览
- 电压等级VDSS: 从650V至1700V不等,覆盖了中高压电力转换系统的广泛需求。
- 导通电阻RDON:在16毫欧(mR)至160毫欧之间,实现了更低的导通损耗,尤其适合高效率电源转换系统,显著提升系统能效。
- 最大漏源电流ID:范围自19A至120A,满足从小到大功率变换设备的电流处理能力要求。
- 封装形式: 主要采用行业标准的TO247封装,确保良好的散热性能和电路板布局兼容性。
接下来,我们将通过几款具有代表性的产品型号及其应用场景来进一步阐述:
案例一:低导通电阻在充电桩中的应用
我们的HC3M0032120K“SiCMOS 1200V-32mR-63A”,拥有极低的32毫欧姆导通电阻及高达63A的电流承载能力,适用于快速充电站的设计,有效降低充电过程中的能量损失,提升充电效率,并减小体积,助力电动汽车行业的快速发展。点击查看详情>>
案例二:高压稳定应用于逆变器
对于需要高耐压特性的场合,比如新能源汽车主驱逆变器,选择HC2M0045170D“SiCMOS1700V-45mR-72A”的产品是理想之选。这款器件能在高达1700V的工作电压下保持稳定的性能,同时具备适度的导通电阻和较高的电流容量,有助于实现车辆电动机的高效驱动和可靠运行。点击查看详情>>
案例三:紧凑型设计在光伏逆变器中的优势
在太阳能逆变器中,优化空间和成本至关重要。选择HC3M0015065K:“SiCMOS650V-15mR-120A”以其低导通电阻和适中的工作电压,在保证转换效率的同时减少了整体方案的尺寸和散热需求,大大提高了光伏能源的利用率。点击查看详情>>
以上仅为部分代表性案例,每款精心设计的碳化硅MOSFET产品都经过严苛测试和实际验证,旨在适应多样化的市场应用。无论是在智能电网、轨道交通、还是工业自动化领域,这些产品都能凭借其卓越的高温性能、开关速度快、寿命长等特点,为客户带来前所未有的能效升级和成本节省。
点击链接获取更多关于这17款碳化硅MOSFET产品的详细规格和技术资料,以满足您在具体项目中的定制化需求。
出货型号 |
封装 |
类型 |
电压VDS/V |
电流 ID/A |
内阻 mR |
品牌 |
立创编码 |
HC3M0075120K |
TO-247-4L |
N |
1200.0 |
32.0 |
75.0 |
HXY MOSFET |
C19723860 |
TO-247 |
N |
1200.0 |
32.0 |
75.0 |
HXY MOSFET |
C19723859 |
|
TO-247 |
N |
650.0 |
120.0 |
15.0 |
HXY MOSFET |
C19723863 |
|
TO-247-4L |
N |
1200.0 |
36.0 |
80.0 |
HXY MOSFET |
C19723862 |
|
TO-247-4L |
N |
650.0 |
29.0 |
60.0 |
HXY MOSFET |
C19723858 |
|
TO-247-4L |
N |
1200.0 |
19.0 |
160.0 |
HXY MOSFET |
C19723861 |
|
TO-247 |
N |
650.0 |
29.0 |
60.0 |
HXY MOSFET |
C19723857 |
|
TO-247 |
N |
1700.0 |
5.0 |
1000.0 |
HXY MOSFET |
C19723852 |
|
HC3M0032120D |
TO-247 |
N |
1200.0 |
63.0 |
32.0 |
HXY MOSFET |
C19723855 |
TO-247-4L |
N |
1200.0 |
78.0 |
40.0 |
HXY MOSFET |
C19723848 |
|
HC3M0016120D |
TO-247 |
N |
1200.0 |
115.0 |
16.0 |
HXY MOSFET |
C19723854 |
TO-247 |
N |
1700.0 |
72.0 |
45.0 |
HXY MOSFET |
C19723849 |
|
TO-247-4L |
N |
1200.0 |
63.0 |
32.0 |
HXY MOSFET |
C19723856 |
|
TO-247 |
N |
1200.0 |
18.0 |
160.0 |
HXY MOSFET |
C19723851 |
|
TO-247 |
N |
1200.0 |
55.0 |
40.0 |
HXY MOSFET |
C19723847 |
|
TO-247-4L |
N |
650.0 |
120.0 |
15.0 |
HXY MOSFET |
C19723853 |
|
TO-247 |
N |
1200.0 |
36.0 |
80.0 |
HXY MOSFET |
C19723850 |

ADM2587EBRWZ-REEL7/隔离式RS485/422收发器(带电源) | 29.65 | |
OP2177ARZ-REEL7/精密运放 | 10.27 | |
ADA4522-2ARZ-R7/精密运放 | 14.3 | |
INA226AIDGSR/电流感应放大器 | 3.06 | |
TPA3116D2DADR/音频功率放大器 | 4.1 | |
TMS320F28034PNT/单片机(MCU/MPU/SOC) | 11.53 | |
TPS54260DGQR/DC-DC电源芯片 | 1.3 | |
TXB0108PWR/转换器/电平移位器 | 1.2482 | |
INA199A1DCKR/电流感应放大器 | 0.8797 | |
LM393DR/比较器 | 0.3001 |