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  • 瑞萨电子:收购Transphorm获得GaN技术

  • 2024-01-12 11:57:17 阅读量:1241 来源:瑞萨电子

导读:全球半导体解决方案供应商瑞萨电子宣布,与全球氮化镓(GaN)功率半导体供应商Transphorm达成最终协议,根据该协议,瑞萨子公司将以每股5.10美元现金收购Transphorm所有已发行普通股,此次交易对Transphorm的估值约为3.39亿美元。此次收购将为瑞萨提供GaN(功率半导体的下一代关键材料)的内部技术,从而扩展其在电动汽车、计算(数据中心、人工智能、基础设施)、可再生能源、工业电源以及快速充电器/适配器等快速增长市场的业务范围。



图:Transphorm CEO Primit Parikh博士及瑞萨CEO柴田英利


作为碳中和的基石,对高效电力系统的需求正在不断增加。为了应对这一趋势,相关产业正在向以碳化硅(SiC)和GaN为代表的宽禁带(WBG)材料过渡。这些先进材料比传统硅基器件具备更广泛的电压和开关频率范围。在此势头下,瑞萨已宣布建立一条内部SiC生产线,并签署了为期10年的SiC晶圆供应协议。


瑞萨现目标是利用Transphorm在GaN方面的专业知识进一步扩展其WBG产品阵容。GaN是一种新兴材料,可实现更高的开关频率、更低的功率损耗和更小的外形尺寸。这些优势使客户的系统具有更高效、更小、更轻的结构以及更低的总体成本。也因此,根据行业研究,GaN的需求预计每年将增长50%以上。瑞萨将采用Transphorm的汽车级GaN技术来开发新的增强型电源解决方案,例如用于电动汽车的X-in-1动力总成解决方案,以及面向计算、能源、工业和消费应用的解决方案。


瑞萨首席执行官柴田英利表示:“Transphorm是一家由来自加州大学圣塔芭芭拉分校、并扎根于GaN功率、经验丰富的团队所领导的公司。Transphorm GaN技术的加入增强了我们在IGBT和SiC领域的发展势头。它将推动和扩大我们的关键增长支柱之一的功率产品阵容,使我们的客户能够选择最佳的电源解决方案。”


Transphorm联合创始人、总裁兼首席执行官Primit Parikh博士以及Transphorm联合创始人兼首席技术官Umesh Mishra博士表示:“结合瑞萨全球布局、广泛的解决方案和客户关系,我们很高兴能为WBG材料的行业广泛采用铺平道路,为其显著增长奠定基础。这项交易还将使我们能够为客户提供进一步扩展服务,并为我们的股东带来可观的即时现金价值。此外,它将为我们杰出的团队提供一个强大的平台,以进一步发展Transphorm卓越的GaN技术和产品。”


交易明细

Transphorm董事会已一致批准最终协议,并建议Transphorm股东通过该最终交易并批准合并。在签署最终协议的同时,持有Transphorm约38.6%已发行普通股的KKR Phorm Investors L.P.已与瑞萨签订惯例投票协议以支持本次交易。该交易预计将于2024年下半年完成,但需获得Transphorm股东的批准、监管部门的许可和其他惯例成交条件的满足。

关于Transphorm, Inc.

关于Transphorm

Transphorm, Inc.是GaN革新的全球引领者,为高压功率转换应用设计和制造高性能和高可靠性的GaN半导体。Transphorm拥有超过1,000项自有或许可专利的功率GaN IP产品组合,生产业界首款符合JEDEC和AEC-Q101标准的高压GaN半导体器件。Transphorm的垂直整合设备业务模式允许在每个开发阶段进行创新:设计、制造、设备和应用支持。Transphorm的创新使电力电子技术突破了硅的限制,实现了超过99%的效率、提高了50%的功率密度并降低了20%的系统成本。Transphorm总部位于加利福尼亚州戈利塔,并在日本会津和戈利塔设有制造工厂。


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