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  • CS创世 SD NAND一代和二代区别

  • 2023-02-01 10:55:18 阅读量:1048

CS创世2019年独家推出了第二代SD NAND产品,在此之前市面上其它厂商很多都是一代,这里简单的跟大家做个对比介绍:


  


【1Gb SD NAND 二代】商品购买链接:https://item.szlcsc.com/3013565.html


1. 二代整体速度要比一代快,特别是在4K小文件读写速度上面会比一代快很多,至少是>10倍。 电子产品使用过程中,很多的操作体验其实都与小文件读写速度有关。比如设备的启动速度,读写碎片或者小文件(例如记录实时的数据日志,读取/写入 音频小片段),GUI界面的动画效果,用户的操作反馈时间等。


2. 二代通过一万次随机掉电测试。模拟内置电池的产品,直接物理断电的情况。


3. 二代产品的主控处理能力更强大,可以支持到最新的TLC NAND FLASH晶圆。


【4Gb SD NAND 二代 】商品购买链接:https://item.szlcsc.com/2801455.html



4. 二代的产品支持FW定制。
   应用场景方面,一代适合商业级场景应用,如:手表手环,运动DV,MP3,U盘,POS机,蓝牙音箱,玩具,点读笔。
二代适合工业级场景应用:物联网, 智能穿戴,音频播放器, 机器人,智能音箱,智能面板(HMI),移动支付,智能眼镜(AR),智能家居,医疗设备,轨道交通,人脸识别,3D打印机。

   综上所述二代的整体性能和速度方面更好一些,也更适合一些工业类的应用,能在航天,医疗,轨道交通等行业极端环境完美运行,已通过1万次随机掉电及耐高低温测试,可以固定BOM及长期供货。


【32Gb SD NAND 二代】商品购买链接: https://item.szlcsc.com/3022560.html

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型号
价格
BZX84-C12,215/稳压二极管 0.055998
EL3021/可控硅输出光耦 0.4466
BAW56,215/开关二极管 0.049684
PDTC114EU,115/数字晶体管 0.079184
PBSS4350Z,135/三极管(BJT) 0.36292
2N7002P,215/场效应管(MOSFET) 0.104711
74HC4052PW,118/模拟开关/多路复用器 0.5379
EGS2GM100G16OT/直插铝电解电容 0.247088
74HC4053D,653/模拟开关/多路复用器 0.6513
PMEG6010CEJ,115/肖特基二极管 0.185386
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