CS创世2019年独家推出了第二代SD NAND产品,在此之前市面上其它厂商很多都是一代,这里简单的跟大家做个对比介绍:
【1Gb SD NAND 二代】商品购买链接:https://item.szlcsc.com/3013565.html
1. 二代整体速度要比一代快,特别是在4K小文件读写速度上面会比一代快很多,至少是>10倍。 电子产品使用过程中,很多的操作体验其实都与小文件读写速度有关。比如设备的启动速度,读写碎片或者小文件(例如记录实时的数据日志,读取/写入 音频小片段),GUI界面的动画效果,用户的操作反馈时间等。
2. 二代通过一万次随机掉电测试。模拟内置电池的产品,直接物理断电的情况。
3. 二代产品的主控处理能力更强大,可以支持到最新的TLC NAND FLASH晶圆。
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综上所述二代的整体性能和速度方面更好一些,也更适合一些工业类的应用,能在航天,医疗,轨道交通等行业极端环境完美运行,已通过1万次随机掉电及耐高低温测试,可以固定BOM及长期供货。
BZX84-C12,215/稳压二极管 | 0.055998 | |
EL3021/可控硅输出光耦 | 0.4466 | |
BAW56,215/开关二极管 | 0.049684 | |
PDTC114EU,115/数字晶体管 | 0.079184 | |
PBSS4350Z,135/三极管(BJT) | 0.36292 | |
2N7002P,215/场效应管(MOSFET) | 0.104711 | |
74HC4052PW,118/模拟开关/多路复用器 | 0.5379 | |
EGS2GM100G16OT/直插铝电解电容 | 0.247088 | |
74HC4053D,653/模拟开关/多路复用器 | 0.6513 | |
PMEG6010CEJ,115/肖特基二极管 | 0.185386 |
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