最近有很多客户在使用CS创世 SD NAND的时候都会问SD NAND与SPI NAND有什么区别，下面我们来一起了解下：

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以CSNP1GCRR01-AOW和ATO25D1GA为例来说明

是一种基于NANDFlash和SD控制器的1Gb嵌入式存储密度。与原始NAND相比，该产品有许多优点，具有更强的嵌入式坏块管理和ECC校验。即使是在异常断电时，它仍然能保持数据的安全。CSNP1GCR01-AOW是LGA-8封装。尺寸为8毫米x6 毫米x0.75毫米mm 

ATO25D1GA是1Gbit并且带有32Mbit备用容量的存储。标准电压为3.3V。内存被划分为可以独立擦除的块，以便在删除旧数据时保留有效的数据。该设备包含1024个块，由64页组成，由32个系列连接的闪存单元的两个NAND结构组成。程序操作可以在典型的200字节的2040ms上执行，擦除操作可以在128k字节的典型2ms上的块上执行。页面中的数据可以在每个字节的25ns的周期时间内读出.

• SD NAND与SPI NAND都是有块堆叠而成的，都是一个原始的RAW加上一个控制器，但从单个快来看他们是有区别的。
• SD NAND单个块为512字节，擦除、读写都是以块为单位进行的，而且SD NAND可以直接写入，不需要先擦除才能写入。
• SPI NAND单个块为128K字节，擦除是以块为单位的，读是以页为单位的，写是以块为单位，SPI NAND必须先要进行擦除，才能写入。

从结构图来看

SD NAND结构图

SPI  NAND结构图

从数据传输来看

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SPI是私有协议：

比如SPI NAND在一个页面的读取操作如下图：

从下图可以看出来SPI的读是通过0FH或者13H这样类似的命令来操作的，以0FH这个操作为例子，从0到7总共8个地址，这8个地址的信息总共占一个字节的存储空间，然后通过解码，被地址寄存器输送信息给通信SI/SO。

同样的写的操作如下：

这是一个串行数据连续传输图，SLCK这里发送命令从Data Byte2一直到Data Byte2112,然后SI这里一会不间断的写入8byte address,刚好也有Data Byte2-Data Byte3------Data BYte2112。

块擦除操作如下

SCLK(时钟）command通信口SI，然后SI这里发出一个D8h的指令，然后对从MSB（最高有效位）23-0一个24bit Address进行擦写。

SD NAND由于内置了全套管理算法，在稳定度方面会好很多。特别是针对掉电保护这块。例如CS创世 SD NAND二代通过了客户10K次的随机掉电测试。而SPI NAND“继承”了NAND Flash先擦后写机制带来的弊端，在写入数据的时候突然掉电很容易丢失数据

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