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  • 为可穿带设备和IOT应用而生的超低功耗LDO

  • 2021-02-24 17:36:58 阅读量:5165

  


超低功耗电子元器件在物联网(IOT)以及消费类产品(Consumer Products)的应用中有着广泛的需求,对超低功耗的追求既是产品节能环保的需求,又是提升客户体验的刚需。


“低功耗”“低压差”正如其名,是LDO器件最重要的性能指标,总能在规格书中轻易找到它们的参数(Vdropout, IQ):

  


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商品编号

型号

封装

C2688247

WL9005S5-28

SOT23-5L

C2688248

WL9005P3-33R

SOT89-3L

C2688240

WL9100S3-30

SOT23-3L



低压差(Vdropout)代表着稳压器的低功耗,确保向预期负载提供最大功率。对于越来越多的使用电池的便携式设备来说,这一点尤为重要,因为对于这些设备来说,电池应该在未来的几年内一直为设备供电,或者在设备的使用寿命期间不可能更换电池。延长电池寿命已变得至关重要。LDO稳压器具有体积小、成本低、效率高等优点,在此类应用中得到了广泛的应用。随着新技术的发展,现代LDO还具有低静态电流、低输入噪声、宽输入输出电压范围等特点。有些还集成了高级保护功能。


低静态电流(IQ),另一个重要的参数,它表示在无负载或轻负载条件下设备的电流消耗。低静态电流提供了两倍的优势。通常,LDO需要在高负载、低负载或空载条件下连续工作,因此,器件的低静态电流意味着在低负载或空载条件下的低功耗。此外,大多数无线和便携式设备(如无线传感器和物联网节点)都在工作周期内工作,这意味着当负载电流降至零时,它们会在睡眠模式下花费大量时间。对于电池供电的应用,LDO的静态电流应尽可能小,待机时消耗更少的电池电量,以保持便携式设备的电池寿命。如下图的典型应电路, LDO直接接在电池端子,为后面的电路提供稳定Vout输出。

  
PMOS型LDO功能框图及典型应用电路

LDO在物联网、传感器节点和医疗设备等需要稳定无噪声电压轨的微处理器、FPGA和ADC基准电压源等领域有着广泛的应用。在我们开始应用设计LDO之前,我们需了解一下LDO的工作模式。

  


如上面简化的LOD电路所示,输入电流和电压分别为 IIN 和VIN ,这就给出了LDO的输入功率:  PIN = VIN x IIN  . 当设备开启时,它将输出电流IOUT 和输出电压VOUT 传送到负载。因此,负载接收的输出功率为POut = VOut x IOut。在上述简化的LDO稳压器内部电路中,我们发现在输入电压和输出电压之间,唯一与负载串联的元件是这颗LDO内部的P-MOSFET。因此,我们应该假设 IIN = IOut

如果输入和输出之间没有电压降(VIN-VOut),我们就不会有功率损失,因为 PLoss = 0 = PIN – POut  但在现实世界中,VIN并不等于VOut。换句话说,我们在输入和输出之间有一个电压降。在LDO的所有应用中,由于通过元件上的电压降,无法消除功率损耗。当我们使用P型器件时,由于我们新工艺的导通电阻RON大大降低,电压降可能非常小,Vdropout  = IOut x RON

 

LDO设置为关机模式时,它通过切断负载电流停止向负载供电。在关机模式下,接收关机信号以驱动LOD调节器的内部电路,如时钟发生器和输出放电。关闭模式下LDO的电流消耗称为关闭电流。关机模式下的功率损耗为PLoss = IShdn x VIN

 

除上述两种模式外,当LDO启用但没有负载电流提供给负载时,LDO也可以在待机模式下工作。这种模式下的电流消耗称为静态电流。在待机模式下,LDO稳压器仍然需要通过引入少量电流(静态电流)来调节输出电压,以激活内部电路。此模式下的功率损耗为PLoss = IQ x VIN


在了解LDO的工作模式之后,我们可以找到LDO在物联网应用中的最佳用途。物联网应用程序通常以不连续的方式工作,指定上下班循环。在许多应用中,设计者可能不想在等待期间关闭设备。相反,该设备可以切换到睡眠模式,以节省电力,并在需要时被唤醒。在休眠模式下,LDO不工作,但以零负载电流维持输出电压调节。唯一的电流消耗是保持内部电路激活所需的静态电流。对于许多物联网应用,等待期或睡眠模式可能占90%的时间,这意味着我们可以节省90%或更多的电力,如果我们简单地关闭设备在这段时间。如上所述,设备在睡眠模式下的电流消耗是静态电流。由于静态电流在90%以上的时间内是唯一的电流消耗,它对电池寿命的影响成为影响器件性能的主要因素。即使静态电流很小,长期的影响是耗尽电池在一个大大降低率相比,满载电流。


这里,我们以WPMtekWL9005 LDO为例。假设输入电压VIN5V,负载电流为100mA时输出电压VOut3.3V,空载静态电流IQ为0.3uA,关断电流IShdn为0.1uA。


WL9005在100mA下启动为负载供电时的功率损耗为:

PLoss = Vdropout x ILoad = (5 – 3.3) x 100mA = 170mW

 

如果WL9005一直打开,功耗将保持在170mW。对于使用电池作为主要电源的设备来说,这种功耗是相当大的。如果我们在不需要的时候关闭设备,我们可以将电流降到静态电流0.3uA。

PLoss = VIN x IQ = 5V x 0.3uA = 1.5uW

 

两种功耗之比为113333倍!可以看到通过切断不必要的电力损耗而产生多大功耗差异。由于我们已经证明静态电流对物联网设备的功耗影响最大,因此我们必须了解,选择具有更低静态电流的LDO可以进一步降低功耗。

如果我们进一步关闭LDO,我们可以将电流消耗降低到0.1uA,功率损耗为PLoss = VIN x IShdn = 5V x 0.1uA = 0.5uW,但请记住,完全关闭LDO可能是不可行的,设备的长开启响应可能会显著影响某些应用程序的性能。

 

超低电压降的显著优点包括低散热、良好的线路调节、良好的负载调节和低纹波,这些都是物联网设备对电源的要求。LDO稳压器由PNP BJT或PMOS组成。由于P型器件的饱和电压较低,LDO的电压降可以低至100 mv。真正做到超低功耗。


维攀微(WPMtek)把静态功耗做到了极致的超低压差(Vdropout=100mV@100mA),极致的超低静态电流(IQ=0.3 uA),从而给可穿戴设备,消费类产品,IOT产品等带来了更省电更好的客户体验。维攀微在高压/低压系列LDO 产品线做了齐全的覆盖,LDO的选型变得方便袖手。


  

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