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MDD辰达半导体低钳位高功率TVS,开启电子设备EOS防护

2026-03-04 09:41:19阅读量:22

一、EOS防护:现代电子设备的核心挑战-EOS

 

EOS(Electrical Overstress,电性过应力)是导致电子设备失效的主要原因之一,也是整个电子行业面临的一项持续挑战。EOS是指施加在器件上的电压、电流或功率超过了其最大额定承受能力,导致器件性能退化或永久性损坏。它比ESD(静电放电)的持续时间更长、能量更高,破坏性也更大。

 

随着芯片工艺进入纳米级,栅氧层更薄,器件对EOS的耐受能力进一步下降,使得防护设计更为关键。在日益精密的电子设备中,瞬态电压抑制二极管(TVS)作为电路保护的"安全卫士",其性能直接关系到整个系统的可靠性。

 

二、传统TVS的局限性

 

但是传统的TVS 同样功率下,体积大(比如SMA,SMB封装),而且VC 高,已经防护不了日益脆弱的高端的IC。我们经常会遇到这样的情况,比如浪涌300V的时候,TVS是好的,后端IC坏了,这就是传统TVS高钳位电压的弊端之一。

 

三、MDD系列TVS的低钳位电压

 

MDD的SMFXX系列TVS二极管,以其创新的低钳位电压技术,为电路保护领域带来了突破性解决方案。

 

项目 SMFXX(C)AH SMF系列 SMA系列 SMB系列
封装 很大
浪涌耐压 很高
钳位电压


与传统TVS对比如下:

 

该系列TVS可对电源口进行全方位防护:

 

 

该系列产品功率高达5600W,浪涌防护强,EOS防护高达350V以上,并且钳位电压远远低于传统TVS。同时兼顾了静电防护,可达接触和空气放电±30KV。而且封装为SOD-123FL小型贴片封装,满足产品的小型化要求,适合各种充电头,电动剃须刀,电动牙刷,小型蓝牙音响等各类用到USB充电技术产品的充电口要求,也可用在传统的电源口。 

 

 

四、推荐型号

 

MDD的TVS采用clip先进封装工艺,有效降低应力,提高器件可靠性。MDD工厂有完整的器件生产线,从材料输入,到成品输出,有完善的质量体系,全程质量可控。

 

TYPE NO.

Breakdown Voltage@IT VBR(V)

Reverse Stand-off Voltage

Maximum Reverse Leakage

Peak Pulse Current

Maximun Clamping Voltage

Peak Power Dissipation

Package

Bi)

Min.(V)

Max.(V)

IT(mA)

VRWM(V)

IR(μA)

IPPM(A)

VC(V)

PPkW)

SMF11CA

12.2

13.5

1

11

2.5

11

18.2

200

SOD-123FL

SMF12CA

133

14.7

1

12

2.5

10.1

19.9

200

SOD-123FL

SMF13CA

14.4

15.9

1

13

1

9.3

21.5

200

SOD-123FL

SMF14CA

15.6

17.2

1

14

1

8.6

23.2

200

SOD-123FL

SMF15CA

16.7

18.5

1

15

1

8.2

24.4

200

SOD-123FL

SMF16CA

17.8

19.7

1

16

1

7.7

26

200

SOD-123FL

SMF17CA

18.9

20.9

1

17

1

7.2

27.6

200

SOD-123FL

SMF18CA

20

22.1

1

18

1

6.8

29.2

200

SOD-123FL

SMF20CA

22.2

24.5

1

20

1

6.2

32.4

200

SOD-123FL

SMF22CA

24.4

26.9

1

22

1

5.6

35.5

200

SOD-123FL

SMF24CA

26.7

29.5

1

24

1

5.1

38.9

200

SOD-123FL

 

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MDD(辰达半导体) | TVS
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