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LM2596升降压电路(附仿真图)

2020-07-13 15:22:55阅读量:10833来源:应用与分享

本文作者:立创EDA源平台 OSHWHub @yANgZEN点击查看原文章


1、简介


LM2596做降压很常用,当做升降你听说过没?(不是负电压输出那种) 测试芯片为lm2596及脚位兼容的芯片,这里选择AP1501(物料号:C360640)来测试。


前提条件

建议输入电压12~18V。硬件保护范围为10~20V,超出这个范围电源就会停止工作。


原理讲解

电路拓扑类似双管正激,将2596输出接至MOS管栅极,使MOS管同时导通,电感储能。2596截止时,由于电感电流不能突变,栅极电压被拉低,D1导通钳位-0.5V,MOS管截止,电感电流经过D1,D2输出。D3,D4为电感反向电流钳位。TL431生成电压基准配合LM393比较使电路在规定电源电压范围内工作,以保护MOS管。



2、制作&测试  


    


  


上机测试:


输入12V,输出5V 2A,输出纹波


      


MOS管栅源电压波形


    


测试数据:


  


1、上表的纹波估计打个5折才是实际,带宽限制忘了开,再测了一遍,纹波低了一半以上;

2、看了一下芯龙的pdf,官方xl6009的sepic拓扑效率在80%上下,估计我换个mos管的降压芯片效率就和他平起平坐了。



3、文档


                                

Sheet_1(点击进入立创EDA编辑器打开)


                   

PCB_点击进入立创EDA编辑器打开)


                   

仿真TEST_点击进入立创EDA编辑器打开)


4、BOM 相关器件(点击商品编号可查看产品详细信息)


商品编号 型号 品牌 规格/描述
C360640 AP1501-ADJS/TR
HGC(华冠)
TO-263-5L / DC-DC
C22162 IRFS3607TRLPBF Infineon(英飞凌)
TO-263-2 / MOS
C67470 LM393DR
TI(德州仪器)
SOIC-8_150mil / 电压比较器
C181103
TL431
Hottech(合科泰)
SOT-23(SOT-23-3) / 电压基准
2N2222A
ST(先科)

TO-92(TO-92-3) / 三极管


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