导读：在最新财报中，镁光科技（Micron Technologies）宣布旗下第二代高带宽存储器（HBM2）即将开始出货。HBM2主要用于高性能显卡、服务器处理器以及各种高端处理器中，是相对昂贵但市场紧需的解决方案。

近日，镁光公布了第二代高带宽存储器（HBM2）的细节，达到了每堆8个裸晶及每针传输速度高达2GT/s的高性能，还有256GB/s的内存带宽及上至8GB的运行内存。业界预测第二代高带宽存储器对高性能显卡、服务器、高端处理器等应用领域至关重要。

早在2016年1月19日，三星集团就宣布进入大量生产第二代高带宽存储器的早期阶段，每堆拥有高达8GB的运行内存。SK海力士同时宣布于2016年8月发布4GB版本的运行内存。而伴随着镁光的即将出货，存储器市场将会再次形成三雄割据的场面。

此前，镁光的开发重心都放在专有的混合存储多维数据集（HMC）DRAM类型上，不过这种类型的DRAM并没有获得太多对客户的吸引力，仅仅再少数稀有产品上使用过，比如2015年在富士通PRIMEHPC FX100超级计算机中使用的富士通SPARC64 XIfx CPU。

于是，镁光随后宣布2018年暂停HMC的工作，并决定致力于GDDR6和HBM的开发。因此他们将会在今年的某个时候发布搭载HBM2 DRAM的产品。

现在，第二代高带宽存储器（HBM2）如期面世，会带给业界怎样的惊喜呢？