三星已完成3nm制程研发！基于GAAFET

导读：3年以内晶圆代工领域的两强相争将更为激烈，Intel梦在何方？

图：三星3nm制程研发成功（Business Korea）

此前，我们在文章美国正制定规则，拟限制对中国出口GAAFET技术！中介绍了3nm时代具有代表性的GAAFET工艺。

2017年，IBM利用GAAFET实现了5nm芯片制程。在2018年5月，三星宣布将利用改良自GAAFET的专利结构MBCFET，实现5nm、4nm及3nm制造工艺，而这一步终于在2020年1月3日得以实现，这意味着三星将在代工领域继续保持对台积电的攻势。

这项技术成果的落地对三星具有里程碑意义，为此，1月2日三星电子副董事长李在镕专程访问了京畿道的三星半导体研究中心。而台积电目前正处于3nm制程试产阶段，岛内负责3nm量产的厂房已经于2019年顺利通过环评。