1947年，第一颗晶体管在贝尔实验室诞生，自此开辟了电子技术的新纪元。但当时的晶体管仅能应用于助听器、收音机等单一功能产品，而更多的电子设备需要更小的晶体管并实现新的功能，于是便有了集成电路。现如今，芯片越做越小，集成晶体管越来越多，电子产品功能更加丰富，人民生活也愈加美好。     

但是，伴随着强大的功能而来的是一系列的问题，比如系统功耗的增高以及电源供给方案备份的增加造成了电源端的噪声和各种接口过冲EOS损伤越来越普遍，这些问题给工程师们的方案设计工作增加了非常大的难度，尤其是充电器方案设计，系统负载的瞬态变化稍有差异，就可能崩溃。

图1广西地方电力、印度、非洲大部电视、机顶盒的异常失效率。

图1可见，异常失效率与供电质量明确相关。电压升高会导致：Y 电容耦合电压升高（AC负半波）、Y电容浅击穿导致耦合电压升高、变压器饱和出现高毛刺电压、稳压器基础负载无法拉低空载电压。

圣邦微电子针对上述问题，推出了一款可以用于接口端的高耐压、800mA、低压差LDO--SGM2205，极大的减小了工程师端的设计难度，增加了系统的可靠性。

SGM2205设计理念

SGM2205可以支持800mA输出的低压差，高耐压LDO，设计初衷是为满足各种复杂供电环境下的高可靠性要求，尤其是DC-DC/AC-DC后端，或者接口电源供电，需要抵抗毛刺，浪涌，高压失效等恶劣情况。比如快充充电器失效高压，电网波动导致变压器后端电压漂移，系统背板热插拔带来的浪涌冲击等。同时，SGM2205对输入输出电容要求很低，2.2μF陶瓷电容即可。

图2 SGM2205内部框图

图3 SGM2205典型应用电路

SGM2205特性

·         输入电压范围：2.5V to 36V

·         输出电压：1.8V to 15V

·         低压差满载800mA@ 480mV

·         超低静态功耗75μA

·         800mA输出电流

·         对输出电容要求低，支持2.2μF陶瓷电容

·         低温漂、高可靠性

·         支持过温保护

·         支持过流保护

·         工作温度范围为扩展工业温度-40℃ to +125℃

·         支持绿色无卤SOT-223-3、SOIC-8、TDFN-3x3-8L和SOT-89-3封装

图4 SGM2205参数特性

SGM2205优势

s   兼顾低压2.5V输入和高压36V输入

s   800mA负载电流下仅480mV压差

s   SGMICRO强大的供货能力保障供应链稳定

s   就近的服务支持

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