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特性:超低功耗,采用FlexPowerControl,电源电压1.71V至3.6V,温度范围-40℃至85/105/125℃。 VBAT模式下为300nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。 关机模式30nA(5个唤醒引脚)。 待机模式120nA(5个唤醒引脚)。 带RTC的待机模式420nA。 停止2模式1.1μA,带RTC时1.4μA。 运行模式100μA/MHz(LDO模式)。 运行模式39μA/MHz(@3.3V SMPS模式)
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  • 1+

    ¥79.41
  • 10+

    ¥65.69
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    ¥59.05
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台。1.65 V 至 3.6 V 电源。40℃ 至 105℃ 温度范围。0.29 μA 待机模式(3 个唤醒引脚)。1.15 μA 待机模式 + RTC。0.44 μA 停止模式(16 个唤醒线路)。1.4 μA 停止模式 + RTC。8.6 μA 低功耗运行模式
    数据手册
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    • 10+

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    • 30+

      ¥62.22
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台。 1.65 V 至 3.6 V 电源,-40℃ 至 125℃ 温度范围。 0.29 μA 待机模式(3 个唤醒引脚)。 0.43 μA 停止模式(16 个唤醒线)。 0.86 μA 停止模式 + RTC + 20-Kbyte RAM 保留。 运行模式下低至 93 μA/MHz。 5 μs 唤醒时间(从闪存)。 12 位 ADC 转换在 10 ksps 时为 41 μA
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  • 有货
  • 特性:超低功耗,采用FlexPowerControl。 1.71 V至3.6 V电源,-40℃至85/125℃温度范围。 批量采集模式(BAM)。 VBAT模式下187 nA:为RTC和32x32位备份寄存器供电。 17 nA关机模式(5个唤醒引脚)。 108 nA待机模式(5个唤醒引脚)。 222 nA带RTC的待机模式。 3.16μA带RTC的Stop 2模式
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  • 有货
  • 特性:超低功耗,具备FlexPowerControl。 电源电压范围:1.71V至3.6V。 温度范围:-40℃至85/125℃。 VBAT模式下为145nA,为RTC和32×32位备份寄存器供电。 关机模式22nA(5个唤醒引脚)。 待机模式106nA(5个唤醒引脚)。 带RTC的待机模式375nA。 停止2模式2.05μA,带RTC时2.40μA
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      ¥69.34
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      ¥62.62
  • 有货
  • 特性:超低功耗与灵活电源控制:电源电压范围:1.71V 至 3.6V。温度范围:-40℃ 至 85/125℃。批量采集模式(BAM):VBAT 模式下 187nA,为 RTC 和 32x32 位备份寄存器供电。关机模式:17nA(5 个唤醒引脚)。待机模式:108nA(5 个唤醒引脚)。带 RTC 的待机模式:222nA。带 RTC 的停止 2 模式:3.16μA。运行模式(LDO 模式):106μA/MHz
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    • 1+

      ¥80.87
    • 10+

      ¥74.05
    • 30+

      ¥67.77
  • 有货
  • 特性:核心:带有FPU的ARM 32位Cortex-M4 CPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)允许从闪存中零等待状态执行,频率高达84 MHz,内存保护单元,105 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),以及DSP指令。 存储器:高达512 KB的闪存;高达96 KB的SRAM。 时钟、复位和电源管理:1.7 V至3.6 V应用电源和I/O;POR、PDR、PVD和BOR;4至26 MHz晶体振荡器;内部16 MHz工厂校准RC;用于RTC的32 kHz振荡器,带校准;内部32 kHz RC,带校准。
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      ¥81.2
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  • 有货
  • 特性:采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下电流为200nA,为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式电流为8nA(5个唤醒引脚)。待机模式电流为28nA(5个唤醒引脚)。带RTC的待机模式电流为280nA。停止2模式电流为1.0μA,带RTC时为1.28μA
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      ¥82.63
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      ¥64.39
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台。 1.65V 至 3.6V 电源,-40℃ 至 125℃ 温度范围。 0.29μA 待机模式(3 个唤醒引脚)。 0.43μA 停止模式(16 个唤醒线)。 0.86μA 停止模式 + RTC + 20KB RAM 保留。 运行模式低至 93μA/MHz
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      ¥82.94
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  • 有货
  • 特性:采用FlexPowerControl实现超低功耗。 电源电压范围:1.71V至3.6V。 温度范围:-40℃至85/105/125℃。 VBAT模式下为300nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。 关机模式下为30nA(5个唤醒引脚)。 待机模式下为120nA(5个唤醒引脚)。 带RTC的待机模式为420nA。 停止2模式下为1.1μA,带RTC时为1.4μA
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      ¥83.02
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  • 特性:超低功耗,具备FlexPowerControl。 供电电压范围为1.71V至3.6V。 温度范围为-40℃至85/125℃。 VBAT模式下为145nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。 关机模式下为22nA(5个唤醒引脚)。 待机模式下为106nA(5个唤醒引脚)。 带RTC的待机模式下为375nA。 停止2模式下为2.05μA,带RTC时为2.40μA
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    • 1+

      ¥83.73
    • 10+

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      ¥73.23
  • 有货
  • 特性:包含最先进的专利技术。32 位双核 Arm Cortex-A7,每个核心有 32-Kbyte I / 32-Kbyte D 的 L1 缓存,256-Kbyte 统一二级缓存,具备 Arm NEON 和 Arm TrustZone。32 位 Arm Cortex-M4 带 FPU/MPU,最高 209 MHz(最高 703 CoreMark)。外部 DDR 内存最高 1 Gbyte,支持 LPDDR2/LPDDR3-1066 16/32 位、DDR3/DDR3L-1066 16/32 位。708 Kbytes 内部 SRAM:256 Kbytes AXI SYSRAM + 384 Kbytes AHB SRAM + 64 Kbytes 备份域 AHB SRAM 和 4 Kbytes 备份域 SRAM。双模式 Quad-SPI 内存接口。灵活的外部内存控制器,最高 16 位数据总线,可连接外部 IC 和 SLC NAND 内存,最高 8 位 ECC。TrustZone 外设,主动防篡改,Cortex-M4 资源隔离
    • 1+

      ¥83.81
    • 10+

      ¥81.07
  • 有货
  • 特性:超低功耗,采用FlexPowerControl,电源电压1.71V至3.6V,温度范围-40℃至85/105/125℃。 VBAT模式下为300nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。 关机模式30nA(5个唤醒引脚)。 待机模式120nA(5个唤醒引脚)。 带RTC的待机模式420nA。 停止2模式1.1μA,带RTC时1.4μA。 运行模式100μA/MHz(LDO模式)。 运行模式39μA/MHz(@3.3V SMPS模式)
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    • 1+

      ¥83.84
    • 10+

      ¥80.91
  • 有货
  • 特性:超低功耗与灵活电源控制:电源电压范围:1.71V 至 3.6V。温度范围:-40℃ 至 85/125℃。批量采集模式(BAM):VBAT 模式下 187nA,为 RTC 和 32x32 位备份寄存器供电。关机模式:17nA(5 个唤醒引脚)。待机模式:108nA(5 个唤醒引脚)。带 RTC 的待机模式:222nA。带 RTC 的停止 2 模式:3.16μA。运行模式(LDO 模式):106μA/MHz
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    • 1+

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    • 10+

      ¥80.21
    • 30+

      ¥73.52
  • 有货
  • 特性:超低功耗,采用FlexPowerControl,电源电压1.71V至3.6V,温度范围-40℃至85/105/125℃。 VBAT模式下为300nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。 关机模式30nA(5个唤醒引脚)。 待机模式120nA(5个唤醒引脚)。 带RTC的待机模式420nA。 停止2模式1.1μA,带RTC时1.4μA。 运行模式100μA/MHz(LDO模式)。 运行模式39μA/MHz(@3.3V SMPS模式)
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      ¥84.81
    • 10+

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    • 30+

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  • 有货
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    • 10+

      ¥81.23
    • 30+

      ¥74.17
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台: 1.65V 至 3.6V 电源。-40℃ 至 105℃ 温度范围。305nA 待机模式(3 个唤醒引脚)。1.15μA 待机模式 + RTC。0.475μA 停止模式(16 个唤醒线)。1.35μA 停止模式 + RTC。11μA 低功耗运行模式。230μA/MHz 运行模式
    数据手册
    • 1+

      ¥85.59
    • 10+

      ¥81.31
    • 30+

      ¥73.89
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 32位Arm Cortex-M7 CPU,带有MPU和DP-FPU,L1缓存:32 + 32 Kbyte指令和数据缓存,允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行,频率高达600 MHz,1284 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),具备DSP指令。 64 Kbytes用户闪存,可用于用户代码和/或外部存储器配置。 SRAM:总共620 Kbytes(548 Kbytes可选ECC激活),组织如下: -64 + 64 Kbytes最小指令和数据TCM RAM,用于关键实时指令。384 Kbytes AXI SRAM(128 Kbytes可选重新映射到完全激活的TCM RAM)。4 Kbytes备份SRAM(在最低功耗模式下可用)。 灵活的外部存储器控制器,具有高达32位数据总线:支持SRAM、PSRAM、FRAM、SDR/LPSDR、SDRAM、NOR/NAND存储器。 高达2x Octo-SPI存储器接口或1个octo-SPI + 1个hexa-SPI,支持XiP,支持串行PSRAM/NAND/NOR、HyperRAM/HyperFlash帧格式,运行频率高达200 MHz
    • 1+

      ¥85.96
    • 10+

      ¥82.03
    • 30+

      ¥75.23
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M4 CPU(最高72 MHz),单周期乘法和硬件除法,带浮点单元(FPU)和内存保护单元(MPU)的DSP指令。1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。存储器:64至256 Kbytes的闪存,32 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理:电压范围2.0至3.6 V,上电/掉电复位(POR/PDR),可编程电压检测器(PVD),低功耗模式(睡眠、停止、待机),RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理:4至32 MHz晶体振荡器,用于RTC的32kHz振荡器(带校准),内部8 MHz RC(带x16 PLL选项),内部40kHz振荡器
    数据手册
    • 1+

      ¥86.62
    • 10+

      ¥83.92
  • 有货
  • 特性:核心:带有浮点单元(FPU)、自适应实时加速器(ART AcceleratorTM)和L1缓存(4KB数据缓存和4KB指令缓存)的ARM 32位Cortex-M7 CPU,允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行,频率高达216 MHz,具备内存保护单元(MPU),462 DMIPS / 2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。
    数据手册
    • 1+

      ¥86.91
    • 10+

      ¥83.98
  • 有货
  • 特性:包含ST最先进的专利技术。采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围:1.71V至3.6V。工作温度范围:-40℃至85/125℃。VBAT模式下电流为320nA,为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式电流为25nA(5个唤醒引脚)。待机模式电流为108nA(5个唤醒引脚)。带RTC的待机模式电流为426nA
    数据手册
    • 1+

      ¥88.19
    • 10+

      ¥85.44
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台: 1.65V至3.6V电源。-40℃至105℃温度范围。305nA待机模式(3个唤醒引脚)。1.15μA待机模式 + RTC。0.475μA停止模式(16个唤醒线)。1.35μA停止模式 + RTC
    数据手册
    • 1+

      ¥88.39
    • 10+

      ¥85.63
  • 有货
  • 超低功耗,配备 FPU Arm Cortex-M4 MCU 120 MHz,具有 512 KB 闪存、USB OTG、DFSDM、CHROM-ART
    数据手册
    • 1+

      ¥88.78
    • 10+

      ¥84.89
    • 30+

      ¥78.13
  • 有货
  • 特性:动态效率线,具备增强批量采集模式 (eBAM)。1.7 V 至 3.6 V 电源。40 °C 至 85/105/125 °C 温度范围。内核:带有浮点单元 (FPU) 的 Arm 32 位 Cortex-M4 CPU,自适应实时加速器 (ART Accelerator™) 允许从闪存零等待状态执行,频率高达 100 MHz,具备内存保护单元,125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1),支持 DSP 指令。高达 1.5 Mbytes 的闪存。320 Kbytes 的 SRAM。灵活的外部静态内存控制器,具有高达 16 位数据总线:SRAM、PSRAM、NOR 闪存。双模式 Quad-SPI 接口
    数据手册
    • 1+

      ¥88.91
    • 10+

      ¥84.83
    • 30+

      ¥77.77
  • 有货
  • 带DSP和FPU的170MHz主流ARM Cortex-M4 MCU,具有256 KB Flash存储器、数学加速器、高分辨率定时器和高模拟电平集成
    • 1+

      ¥89.42
    • 10+

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