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首页 > 热门关键词 > STM32仿真器
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特性:包含ST最先进的专利技术。采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围:1.71V至3.6V。工作温度范围:-40℃至85/125℃。VBAT模式下电流为320nA,为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式电流为25nA(5个唤醒引脚)。待机模式电流为108nA(5个唤醒引脚)。带RTC的待机模式电流为426nA
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  • 1+

    ¥104.83
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    ¥101.32
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      ¥102.11
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  • 特性:动态效率线,带eBAM(增强型批量采集模式)。1.7 V至3.6 V电源。40 °C至85/105/125 °C温度范围。核心:带FPU的Arm 32位Cortex M4 CPU,自适应实时加速器(ART AcceleratorTM),允许从闪存零等待状态执行,频率高达100 MHz,内存保护单元,125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),以及DSP指令。1.5 Mbytes闪存。320 Kbytes SRAM。灵活的外部静态内存控制器,高达16位数据总线:SRAM、PSRAM、NOR闪存。双模式Quad SPI接口
    数据手册
    • 1+

      ¥105.97
    • 10+

      ¥101.02
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  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU,带有TrustZone、FPU,频率高达250 MHz,具备MPU,375 DMIPS(Dhrystone 2.1)。 8 Kbyte指令缓存,用于从闪存和外部存储器进行零等待状态执行。 4 Kbyte数据缓存,用于外部存储器。 1.5 DMIPS/MHz(Drystone 2.1)。 1023 CoreMark(4.092 CoreMark/MHz)。 高达2 Mbyte的嵌入式闪存,带ECC,两个存储体可在写入时读取。 每个存储体高达48 Kbyte,具有高循环能力(100 K周期),用于数据闪存
    • 1+

      ¥106.17
    • 10+

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    • 30+

      ¥93.38
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  • 特性:超低功耗,具备FlexPowerControl。1.71V至3.6V电源供电。40℃至85/125℃温度范围。批量采集模式(BAM)。VBAT模式下305nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。33nA关机模式(5个唤醒引脚)。125nA待机模式(5个唤醒引脚)。带RTC的420nA待机模式
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    • 1+

      ¥106.88
    • 10+

      ¥103.24
  • 订货
  • 特性:核心:32 位 Arm Cortex-M4 CPU 带 FPU,自适应实时加速器(ART AcceleratorTM),允许从闪存零等待状态执行,频率高达 180 MHz,具备 MPU,225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持 DSP 指令。 存储器:高达 2 MB 闪存,分为两个存储体,支持读写同时进行;高达 256 + 4 KB SRAM,包括 64 KB CCM(核心耦合内存)数据 RAM;灵活的外部存储器控制器,支持高达 32 位数据总线,可连接 SRAM、PSRAM、SDRAM、Compact Flash、NOR、NAND 存储器。 LCD 并行接口,支持 8080/6800 模式。
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    • 1+

      ¥107.1
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  • 特性:包含先进的专利技术。2.4 GHz RF 收发器,支持蓝牙 5.3 规范、IEEE 802.15.4-2011 PHY 和 MAC,支持 Thread 和 Zigbee 3.0。RX 灵敏度:蓝牙低功耗 1 Mbps 时为 -96 dBm,802.15.4 时为 -100 dBm。可编程输出功率高达 +6 dBm,步长为 1 dB。集成巴伦以减少物料清单。支持 2 Mbps。支持广告扩展。专用 Arm 32 位 Cortex M0+ CPU 用于实时无线电层
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    • 1+

      ¥107.14
    • 10+

      ¥97.73
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      ¥89.08
  • 有货
  • 特性:核心:基于 Arm 的 32 位 Cortex-M3 CPU(最高 120 MHz),带有自适应实时加速器(ART Accelerator),可实现从闪存的零等待状态执行性能,具备 MPU,150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。 存储器:高达 1 Mbyte 的闪存,512 字节的 OTP 存储器,高达 128 + 4 Kbytes 的 SRAM,支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 存储器的灵活静态存储器控制器,LCD 并行接口(8080/6800 模式)。
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    • 1+

      ¥107.54
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      ¥102.45
    • 30+

      ¥93.53
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 32位Arm Cortex-M7 CPU,带有MPU和DP-FPU,L1缓存:32 + 32 Kbyte指令和数据缓存,允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行,频率高达600 MHz,1284 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。 64 Kbytes用户闪存,可用于用户代码和/或外部存储器配置。SRAM共620 Kbytes(548 Kbytes可选ECC激活),包括64 + 64 Kbytes指令和数据TCM RAM用于关键实时指令,384 Kbytes AXI SRAM(128 Kbytes可选重映射到TCM RAM完全激活),4 Kbytes备份SRAM(在最低功耗模式下可用),灵活的外部存储器控制器,数据总线高达32位,支持SRAM、PSRAM、FRAM、SDR/LPSDR SDRAM、NOR/NAND存储器,多达2x八进制SPI存储器接口或1个八进制SPI + 1个六进制SPI,支持串行PSRAM/NAND/NOR、HyperRAM/HyperFlash帧格式,运行频率高达200 MHz,2x SD/SDIO/MMC接口。 2x DMA控制器,用于减轻CPU负担,2x双端口DMA,支持FIFO和链表。 PSA 2级和SESIP 3级认证(认证中),灵活的生命周期方案,基于证书或密码的调试认证(支持调试重新打开/回归),基于唯一引导入口和安全隐藏保护区域(HDP)的信任根,通过嵌入式根安全服务(RSS)实现安全固件安装/更新(SFI/SFU),使用硬件唯一密钥(HUK)的安全数据存储,2个AES协处理器,其中一个具有DPA抗性,公钥加速器,仅具有ECC验证功能的DPA抗性,串行和并行外部存储器的实时加密/解密,HASH硬件加速器,真随机数发生器,符合NIST SP800-90B,96位唯一ID,1 Kbyte OTP(一次性可编程),主动篡改检测,硬件安全存储(专用安全闪存区域)。 NeoChrom图形处理器(GPU2D),加速任意角度旋转、缩放和透视校正纹理映射,Chrom-ART加速器(DMA2D)用于增强图形内容创建,Chrom-GRC(GFXMMU)允许高达20%的图形资源优化,硬件JPEG编解码器,LCD-TFT控制器支持高达XGA分辨率,灵活的存储器控制器FMC8/16用于并行显示支持,数字相机并行接口,具有像素格式转换和裁剪功能。 1.71 V至3.6 V应用电源和I/O,POR、PVD和BOR,专用USB电源,嵌入3.3 V内部稳压器为内部PHY供电,嵌入式LDO稳压器为VCORE和/或外部电路供电,高功率效率的SMPS降压转换器稳压器直接为VCORE和/或外部电路供电,内部振荡器:64 MHz HSI、48 MHz HSI48、4 MHz CSI、32 kHz LSI,外部振荡器:4-50 MHz HSE、32.768 kHz LSE
    • 1+

      ¥108.42
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      ¥103.64
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  • 特性:核心:ARM Cortex-M4 32位CPU,带有72 MHz FPU、单周期乘法和硬件除法、90 DMIPS(来自CCM)、DSP指令和MPU(内存保护单元)。 VDD、VDA电压范围:2.0V至3.6V。 高达512 Kbytes的闪存,64 Kbytes的SRAM,前32 Kbytes实现硬件奇偶校验。常规增强器:指令和数据总线上16 Kbytes的SRAM,带硬件奇偶校验(CCM)。 用于静态存储器的灵活内存控制器(FSMC),带有四个片选。 CRC计算单元。 上电/掉电复位(POR/PDR)。 可编程电压检测器(PVD)
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    • 1+

      ¥110.84
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    • 10+

      ¥107.39
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M4 CPU,带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)允许从闪存零等待状态执行,频率高达180 MHz,具备MPU,225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。 存储器:512 KB闪存、128 KB SRAM、具有高达16位数据总线的灵活外部存储器控制器,支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存、双模式QuadSPI接口。 LCD并行接口,支持8080/6800模式。 时钟、复位和电源管理:1.7 V至3.6 V应用电源和I/O、POR、PDR、PVD和BOR、4至26 MHz晶体振荡器、内部16 MHz工厂校准RC(精度1%)、用于RTC的32 kHz振荡器及校准、内部32 kHz RC及校准。 低功耗:支持睡眠、停止和待机模式。 VBAT为RTC供电,20×32位备份寄存器加上可选的4 KB备份SRAM。 3个12位、2.4 MSPS ADC:多达24个通道,三重交错模式下可达7.2 MSPS。 2个12位D/A转换器
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      ¥111.35
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  • 带 DP-FPU 的高性能 DSP、带 512 KB 闪存的 Arm Cortex-M7 MCU、564 KB RAM、550 MHz CPU、L1 缓存、外部存储器接口、SMPS、外设子集
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    • 1+

      ¥111.66
    • 10+

      ¥106.53
    • 30+

      ¥97.66
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  • 特性:超低功耗与灵活电源控制:电源电压范围:1.71V 至 3.6V。温度范围:-40℃ 至 85/125℃。批量采集模式(BAM):VBAT 模式下 187nA,为 RTC 和 32x32 位备份寄存器供电。关机模式:17nA(5 个唤醒引脚)。待机模式:108nA(5 个唤醒引脚)。带 RTC 的待机模式:222nA。带 RTC 的停止 2 模式:3.16μA。运行模式(LDO 模式):106μA/MHz
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    • 1+

      ¥111.94
    • 10+

      ¥106.81
    • 30+

      ¥97.91
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 采用FlexPowerControl实现超低功耗。 电源电压范围为1.71V至3.6V,温度范围为-40°C至 + 85/125°C。 低功耗背景自主模式(LPBAM):带DMA的自主外设,功能可低至Stop 2模式。 VBAT模式:为RTC、32×32位备份寄存器和2KB备份SRAM供电。 150nA关机模式(24个唤醒引脚)。 195nA待机模式(24个唤醒引脚)。 480nA带RTC的待机模式
    • 1+

      ¥112.38
    • 10+

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    • 10+

      ¥107.09
    • 30+

      ¥97.77
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M4 CPU,带FPU和自适应实时加速器(ART Accelerator),允许从闪存零等待状态执行,频率高达168 MHz,有内存保护单元,210 DMIPS / 1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。内存:高达1 Mbyte闪存;高达192 + 4 Kbytes SRAM,包括64 Kbyte CCM(核心耦合内存)数据RAM;512字节OTP内存;灵活的静态内存控制器,支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存。LCD并行接口,支持8080/6800模式。
    数据手册
    • 1+

      ¥113.82
    • 10+

      ¥110.27
  • 有货
  • 特性:32位Cortex-M4 CPU带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)允许从闪存零等待状态执行,频率高达180 MHz,有MPU,225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。 高达2 MB闪存,分两个存储体,支持读写同时进行。 高达384 + 4 KB SRAM,包括64 KB CCM(内核耦合内存)数据RAM。 灵活外部内存控制器,高达32位数据总线,支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、Flash NOR/NAND内存。 双闪存模式Quad-SPI接口。 Chrom-ART Accelerator(DMA2D)图形硬件加速器,可在最小CPU负载下增强图形用户界面。 LCD并行接口,支持8080/6800模式。 LCD TFT控制器,支持高达XGA分辨率
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      ¥114.17
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      ¥110.33
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    • 10+

      ¥108.77
    • 30+

      ¥99.31
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 采用FlexPowerControl实现超低功耗。 1.71V至3.6V电源供电,温度范围-40°C至+85/125°C。 低功耗背景自主模式(LPBAM):带DMA的自主外设,功能可低至Stop 2模式。 VBAT模式:为RTC、32×32位备份寄存器和2K字节备份SRAM供电。 160nA关机模式(24个唤醒引脚)。 210nA待机模式(24个唤醒引脚)。 530nA带RTC的待机模式
    • 1+

      ¥114.62
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      ¥109.57
    • 30+

      ¥100.81
  • 有货
  • 特性:采用意法半导体先进的专利技术。 超低功耗,FlexPowerControl供电电压范围1.71V至3.6V,工作温度范围-40℃至85/125℃。 V_BAT模式下电流320nA,为RTC和32x32位备份寄存器供电。 关机模式电流25nA(5个唤醒引脚)。 待机模式电流108nA(5个唤醒引脚)。 带RTC的待机模式电流426nA。 停止2模式电流2.57μA,带RTC的停止2模式电流2.86μA。 运行模式(LDO模式)91μA/MHz
    数据手册
    • 1+

      ¥114.65
    • 10+

      ¥109.39
    • 30+

      ¥100.27
  • 有货
  • 特性:核心:32 位 Arm Cortex-M4 CPU 带 FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)可实现从闪存零等待状态执行,频率高达 168 MHz,具备内存保护单元,210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持 DSP 指令。 存储器:高达 1 M 字节闪存;高达 192 + 4 K 字节 SRAM,包括 64 K 字节 CCM(核心耦合内存)数据 RAM;512 字节 OTP 内存;灵活的静态内存控制器,支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。 LCD 并行接口,支持 8080/6800 模式。
    数据手册
    • 1+

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