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封装：LQFP-144(20x20)

特性：超低功耗平台: 1.65V 至 3.6V 电源。-40℃ 至 105℃ 温度范围。305nA 待机模式（3 个唤醒引脚）。1.15μA 待机模式 + RTC。0.475μA 停止模式（16 个唤醒线）。1.35μA 停止模式 + RTC。11μA 低功耗运行模式。230μA/MHz 运行模式

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型号：STM32L4Q5VGT6 编号：C1236680

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

超低功耗，配备 FPU Arm Cortex-M4 MCU 120 MHz，具有 1024 KB 闪存、USB OTG、DFSDM、CHROM-ART、AES、PKA

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型号：STM32MP131AAE3 编号：C5382100

封装：LFBGA-289(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 32位Arm Cortex-A7内核，L1为32K字节指令缓存/32K字节数据缓存，128K字节统一二级缓存，具备Arm NEON和Arm TrustZone。外部DDR内存最大1GB，支持LPDDR2/LPDDR3-1066 16位、DDR3/DDR3L-1066 16位；168K字节内部SRAM（128K字节AXI SYSRAM + 32K字节AHB SRAM和8K字节备份域SRAM）；双Quad-SPI内存接口；灵活的外部内存控制器，最大16位数据总线，可连接外部IC和SLC NAND内存，具备8位ECC。 TrustZone外设，12个防篡改引脚（包括5个有源防篡改引脚），具备温度、电压、频率和32kHz监测功能。 I/O电源为1.71V至3.6V（5V耐压I/O），具备POR、PDR、PVD和BOR，片上LDO（USB 1.8V、1.1V），备份稳压器（约0.9V），内部温度传感器，支持低功耗模式（睡眠、停止、LPLV-停止、LPLV-停止2和待机）。待机模式下DDR保留，具备PMIC配套芯片控制功能。内部振荡器：64MHz HSI振荡器、4MHz CSI振荡器、32kHz LSI振荡器；外部振荡器：8-48MHz HSE振荡器、32.768kHz LSE振荡器；4个带分数模式的PLL。最多135个具备中断能力的安全I/O端口，最多6个唤醒功能

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型号：STM32F101VCT6 编号：C1338643

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32L4Q5CGU6P 编号：C1236666

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

超低功耗，配备 FPU Arm Cortex-M4 MCU 120 MHz，具有 1024 KB 闪存、USB OTG、DFSDM、CHROM-ART、AES、PKA

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型号：STM32U585QII6 编号：C5271048

封装：UFBGA-132(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

超低功耗，采用带 Trust Zone 的 FPU Arm Cortex-M33、具有 1Mbytes 闪存的 160 MHz MCU

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型号：STM32F373VBT7 编号：C1342017

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32WB55CGU7 编号：C5270491

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32G483CET6 编号：C730132

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32MP151AAB3 编号：C1555484

封装：LFBGA-354

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含先进的专利技术。32位Arm Cortex-A7 L1 32KB指令/ 32KB数据缓存，256KB统一二级缓存，支持Arm NEON和TrustZone。32位Arm Cortex-M4带FPU/MPU，最高209MHz（最高703 CoreMark）。外部DDR内存最高1GB，支持LPDDR2/LPDDR3-1066 16/32位、DDR3/DDR3L-1066 16/32位。708KB内部SRAM，包括256KB AXI SYSRAM、384KB AHB SRAM、64KB备份域AHB SRAM和4KB备份域SRAM。双模式Quad-SPI内存接口。灵活的外部内存控制器，最高16位数据总线，支持连接外部IC和SLC NAND内存，带8位ECC。支持TrustZone外设，具有主动篡改检测

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型号：STM32F103RGT6TR 编号：C2891418

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU，带MPU，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。内存：768 KB至1 MB的闪存，96 KB的SRAM，带有4个片选的灵活静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存，LCD并行接口，8080/6800模式。时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz带校准的RC，32 kHz带校准的RTC振荡器。低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 3个12位、1 μs A/D转换器（最多21个通道），转换范围：0至3.6 V，三重采样和保持能力，温度传感器。 2个12位D/A转换器

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型号：STM32F103VEH7 编号：C1339642

封装：LFBGA-100

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Arm Cortex-M3 CPU。最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。单周期乘法和硬件除法。256至512 Kbytes的闪存。高达64 Kbytes的SRAM。具有4个片选的灵活静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存

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型号：STM32MP151FAD1 编号：C1236715

封装：TFBGA-257

品牌：ST(意法半导体)

配备 Arm Cortex-A7 800 MHz、Arm Cortex-M4 实时协处理器、TFT 显示屏、安全启动和加密技术的 MPU

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型号：STM32L462CET6 编号：C5269864

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32F446ZCJ6 编号：C1339827

封装：UFBGA-144

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达180 MHz，具备MPU，225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。存储器：512 KB闪存、128 KB SRAM、具有高达16位数据总线的灵活外部存储器控制器，支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存、双模式QuadSPI接口。 LCD并行接口，支持8080/6800模式。时钟、复位和电源管理：1.7 V至3.6 V应用电源和I/O、POR、PDR、PVD和BOR、4至26 MHz晶体振荡器、内部16 MHz工厂校准RC（精度1%）、用于RTC的32 kHz振荡器及校准、内部32 kHz RC及校准。低功耗：支持睡眠、停止和待机模式。 VBAT为RTC供电，20×32位备份寄存器加上可选的4 KB备份SRAM。 3个12位、2.4 MSPS ADC：多达24个通道，三重交错模式下可达7.2 MSPS。 2个12位D/A转换器

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型号：STM32F439VGT6 编号：C1337435

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

32位Arm Cortex-M4 MCU+FPU，225DMIPS，高达2MB闪存/256 + 4KB RAM，加密功能，USB OTG HS/FS，以太网，17个定时器，3个ADC，20个通信接口，摄像头和LCD-TFT

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型号：STM32F207ZGT7 编号：C1340072

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32L4P5RET6 编号：C5269818

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

超低功耗，配备 FPU Arm Cortex-M4 MCU 120 MHz，具有 512 KB 闪存、USB OTG、DFSDM、CHROM-ART

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型号：STM32G473CET3 编号：C3227239

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。内核：具有FPU的32位Arm Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，具有213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：用于三角函数加速的CORDIC；滤波器数学加速器FMAC。存储器：512 KB的闪存，支持ECC，双存储体可读写，具备专有代码读取保护（PCROP）和可安全存储区域，1 KB OTP；96 KB的SRAM，前32 KB实现硬件奇偶校验；32 KB的SRAM位于指令和数据总线上，具备硬件奇偶校验（CCM SRAM）；支持SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器的静态存储器外部存储器接口FSMC；Quad-SPI存储器接口。

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型号：STM32U599VJT6Q 编号：C26430725

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 1.71V至3.6V电源。 -40°C至+85/125°C温度范围。低功耗背景自主模式（LPBAM）：带DMA的自主外设，功能可低至停止2模式。 VBAT模式：为RTC、32×32位备份寄存器和2KB备份SRAM供电。 150nA关机模式（24个唤醒引脚）。 195nA待机模式（24个唤醒引脚）。 480nA带RTC的待机模式

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型号：STM32L4P5RGT6 编号：C3230957

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

超低功耗，配备 FPU Arm Cortex-M4 MCU 120 MHz，具有 1024 KB 闪存、USB OTG、DFSDM、CHROM-ART

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型号：STM32H563AII6 编号：C22808548

封装：UFBGA-196(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU，带有TrustZone、FPU，频率高达250 MHz，具备MPU，375 DMIPS（Dhrystone 2.1）。 8 Kbyte指令缓存，用于从闪存和外部存储器进行零等待状态执行。 4 Kbyte数据缓存，用于外部存储器。 1.5 DMIPS/MHz（Drystone 2.1）。 1023 CoreMark（4.092 CoreMark/MHz）。高达2 Mbyte的嵌入式闪存，带ECC，两个存储体可在写入时读取。每个存储体高达48 Kbyte，具有高循环能力（100 K周期），用于数据闪存

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型号：STM32U575CGU3Q 编号：C23172785

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32H7B3IIT6 编号：C730230

封装：LQFP-176(24x24)

品牌：ST(意法半导体)

带 DP-FPU 的高性能 DSP、带 2MB 闪存的 Arm Cortex-M7 MCU、1376 KB SRAM、280 MHz CPU、L1 缓存、图形加速、外部存储器接口和大量外设

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型号：STM32L151ZET6 编号：C1337589

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。供电电压：1.65V至3.6V。温度范围：-40℃至105℃。待机模式：290nA（3个唤醒引脚）。待机模式+实时时钟：1.11μA。停止模式：560nA（16个唤醒线）

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型号：STM32L433VCT6TR 编号：C2053748

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。采用FlexPowerControl实现超低功耗。 -电源电压范围：1.71V至3.6V。 -温度范围：-40℃至85/105/125℃。 -VBAT模式下电流为200nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。 -关机模式电流为8nA（5个唤醒引脚）。 -待机模式电流为28nA（5个唤醒引脚）。 -带RTC的待机模式电流为280nA

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型号：STM32F746NEH6 编号：C2971659

封装：TFBGA-216

品牌：ST(意法半导体)

带DSP和FPU的高性能ARM Cortex-M7 MCU，具有512 KB Flash、216 MHz CPU、ART加速器、一级缓存、SDRAM和TFT

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型号：STM32F302VDT6 编号：C2969795

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32F437IIT7 编号：C5269976

封装：LQFP-176(24x24)

品牌：ST(意法半导体)

32位Arm Cortex-M4 MCU+FPU，225DMIPS，高达2MB闪存/256 + 4KB RAM，加密功能，USB OTG HS/FS，以太网，17个定时器，3个ADC，20个通信接口，摄像头和LCD-TFT

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型号：STM32H562ZIT6 编号：C29175975

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU，带有TrustZone、FPU，频率高达250 MHz，具备MPU，375 DMIPS（Dhrystone 2.1）。 8 Kbyte指令缓存，用于从闪存和外部存储器进行零等待状态执行。 4 Kbyte数据缓存，用于外部存储器。 1.5 DMIPS/MHz（Drystone 2.1）。 1023 CoreMark（4.092 CoreMark/MHz）。高达2 Mbyte的嵌入式闪存，带ECC，两个存储体可在写入时读取。每个存储体高达48 Kbyte，具有高循环能力（100 K周期），用于数据闪存

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