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首页 > 热门关键词 > STM32仿真器
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基于 ARM 的 32 位 MCU,高达 256 KB 闪存,具备 CAN、12 个定时器、ADC、DAC 和通信接口,工作电压 2.0-3.6V。
数据手册
  • 1+

    ¥63.53
  • 10+

    ¥61.55
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 32位Arm Cortex-M7 CPU,带有MPU和DP-FPU,L1缓存:32 + 32 Kbyte指令和数据缓存,允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行,频率高达600 MHz,1284 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。 64 Kbytes用户闪存,可用于用户代码和/或外部存储器配置。SRAM共620 Kbytes(548 Kbytes可选ECC激活),包括64 + 64 Kbytes指令和数据TCM RAM用于关键实时指令,384 Kbytes AXI SRAM(128 Kbytes可选重映射到TCM RAM完全激活),4 Kbytes备份SRAM(在最低功耗模式下可用),灵活的外部存储器控制器,数据总线高达32位,支持SRAM、PSRAM、FRAM、SDR/LPSDR SDRAM、NOR/NAND存储器,多达2x八进制SPI存储器接口或1个八进制SPI + 1个六进制SPI,支持串行PSRAM/NAND/NOR、HyperRAM/HyperFlash帧格式,运行频率高达200 MHz,2x SD/SDIO/MMC接口。 2x DMA控制器,用于减轻CPU负担,2x双端口DMA,支持FIFO和链表。 PSA 2级和SESIP 3级认证(认证中),灵活的生命周期方案,基于证书或密码的调试认证(支持调试重新打开/回归),基于唯一引导入口和安全隐藏保护区域(HDP)的信任根,通过嵌入式根安全服务(RSS)实现安全固件安装/更新(SFI/SFU),使用硬件唯一密钥(HUK)的安全数据存储,2个AES协处理器,其中一个具有DPA抗性,公钥加速器,仅具有ECC验证功能的DPA抗性,串行和并行外部存储器的实时加密/解密,HASH硬件加速器,真随机数发生器,符合NIST SP800-90B,96位唯一ID,1 Kbyte OTP(一次性可编程),主动篡改检测,硬件安全存储(专用安全闪存区域)。 NeoChrom图形处理器(GPU2D),加速任意角度旋转、缩放和透视校正纹理映射,Chrom-ART加速器(DMA2D)用于增强图形内容创建,Chrom-GRC(GFXMMU)允许高达20%的图形资源优化,硬件JPEG编解码器,LCD-TFT控制器支持高达XGA分辨率,灵活的存储器控制器FMC8/16用于并行显示支持,数字相机并行接口,具有像素格式转换和裁剪功能。 1.71 V至3.6 V应用电源和I/O,POR、PVD和BOR,专用USB电源,嵌入3.3 V内部稳压器为内部PHY供电,嵌入式LDO稳压器为VCORE和/或外部电路供电,高功率效率的SMPS降压转换器稳压器直接为VCORE和/或外部电路供电,内部振荡器:64 MHz HSI、48 MHz HSI48、4 MHz CSI、32 kHz LSI,外部振荡器:4-50 MHz HSE、32.768 kHz LSE
    • 1+

      ¥63.76
    • 10+

      ¥62.37
    • 30+

      ¥61.44
  • 有货
  • 特性:核心:基于 Arm 的 32 位 Cortex-M3 CPU(最高 120 MHz),带有自适应实时加速器(ART Accelerator),可实现从闪存的零等待状态执行性能,具备 MPU,150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。 存储器:高达 1 Mbyte 的闪存,512 字节的 OTP 存储器,高达 128 + 4 Kbytes 的 SRAM,支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 存储器的灵活静态存储器控制器,LCD 并行接口(8080/6800 模式)。
    数据手册
    • 1+

      ¥64.45
    • 10+

      ¥62.33
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台。1.65 V至3.6 V电源。40℃至105℃温度范围。290 nA待机模式(3个唤醒引脚)。1.11 μA待机模式 + RTC。560 nA停止模式(16个唤醒线)
    数据手册
    • 1+

      ¥64.82
    • 10+

      ¥62.65
  • 有货
  • 特性:核心:基于 Arm Cortex-M4 的 32 位 CPU 并配备 FPU(最高 72 MHz),具备单周期乘法和硬件除法功能,90 DMIPS(来自 CCM),支持 DSP 指令和 MPU(内存保护单元)。 工作条件:VDD、VDDA 电压范围为 2.0V 至 3.6V。 存储器:128 至 256 Kbytes 的闪存;高达 40 Kbytes 的 SRAM,前 16 Kbytes 实现硬件奇偶校验;程序加速:指令和数据总线上 8 Kbytes 的 SRAM,具备硬件奇偶校验(CCM)。 CRC 计算单元。 复位和电源管理:上电/掉电复位(POR/PDR);可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止和待机;为 RTC 和备份寄存器提供 VBAT 电源。 时钟管理:4 至 32 MHz 晶体振荡器;用于 RTC 的 32 kHz 振荡器,具备校准功能;内部 8 MHz RC,可选 x 16 PLL;内部 40 kHz 振荡器。 多达 87 个快速 I/O:均可映射到外部中断向量;多个 5V 耐压。 互连矩阵
    数据手册
    • 1+

      ¥65.74
    • 10+

      ¥56.32
    • 30+

      ¥50.57
  • 有货
  • 特性:超低功耗与FlexPowerControl: 1.71V至3.6V电源。-40℃至85/105/125℃温度范围。VBAT模式下200nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。8nA关机模式(5个唤醒引脚)。28nA待机模式(5个唤醒引脚)。带RTC的280nA待机模式。1.0μA停止2模式,带RTC时1.28μA。84μA/MHz运行模式
    数据手册
    • 1+

      ¥67.42
    • 10+

      ¥57.77
    • 30+

      ¥49.39
  • 有货
  • 连接线路,基于 ARM 的 32 位 MCU,具有 64/256 KB 闪存、USB OTG、以太网、10 个定时器、2 个 CAN、2 个 ADC、14 个通信接口。
    数据手册
    • 1+

      ¥67.94
    • 10+

      ¥64.54
    • 30+

      ¥58.65
  • 有货
  • 主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU,高达512KB Flash,144KB RAM,6x USART,定时器,ADC,DAC,通讯。 I/F、AES、RNG、1.7-3.6V
    • 1+

      ¥68.31
    • 10+

      ¥66.07
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M0 CPU,频率高达48 MHz。16至64 KB的闪存。8 KB带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。数字和I/O电源:VDD = 2.0V至3.6V。模拟电源:VDA从VDD至3.6V
    数据手册
    • 1+

      ¥68.51
    • 10+

      ¥59.12
    • 30+

      ¥53.39
  • 有货
    • 1+

      ¥68.56
    • 10+

      ¥66.42
  • 有货
  • 特性:超低功耗,具备FlexPowerControl。 供电电压范围为1.71V至3.6V。 温度范围为-40℃至85/125℃。 VBAT模式下为145nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。 关机模式下为22nA(5个唤醒引脚)。 待机模式下为106nA(5个唤醒引脚)。 带RTC的待机模式下为375nA。 停止2模式下为2.05μA,带RTC时为2.40μA
    数据手册
    • 1+

      ¥69.64
    • 10+

      ¥67.45
  • 有货
  • 主流 Arm Cortex-M4 MCU 170 MHz,带 512 KB 闪存、数学加速器、高模拟级集成、加密
    数据手册
    • 1+

      ¥69.91
    • 10+

      ¥66.49
    • 30+

      ¥60.57
  • 有货
    • 1+

      ¥70.6
    • 10+

      ¥67.2
    • 30+

      ¥61.31
  • 有货
  • STM32F101xC、STM32F101xD 和 STM32F101xE 系列访问线集成了高性能的 ARM Cortex-M3 32 位 RISC 内核,工作频率为 36 MHz,高速嵌入式存储器(闪存高达 512 Kbytes,SRAM 高达 48 Kbytes),以及一系列增强型 I/O 和外设,这些都连接到两个 APB 总线上。所有设备提供一个 12 位 ADC、四个通用 16 位定时器,以及标准和高级通信接口:最多两个 I2C、三个 SPI 和五个 USART。STM32F101xx 高密度访问线系列的工作温度范围为 -40 至 +85 °C,电源电压范围为 2.0 至 3.6 V。全面的节能模式允许设计低功耗应用。这些特性使得 STM32F101xx 高密度访问线微控制器系列适用于广泛的领域,如医疗和手持设备、PC 外围设备和游戏、GPS 平台、工业应用、PLC、打印机、扫描仪报警系统和视频对讲机。
    数据手册
    • 1+

      ¥71.4
    • 10+

      ¥68.9
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M3 CPU。 最高频率36 MHz,性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。 单周期乘法和硬件除法。 256至512 KB的闪存。 高达48 KB的SRAM。 具有4个片选的灵活静态内存控制器,支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存
    数据手册
    • 1+

      ¥72.15
    • 10+

      ¥70.03
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU,带有TrustZone、FPU,频率高达250 MHz,MPU,375 DMIPS(Dhrystone 2.1)。 8 Kbyte指令缓存,可实现从闪存和外部存储器的零等待状态执行。 4 Kbyte用于外部存储器的数据缓存。 1.5 DMIPS/MHz(Drystone 2.1)。 1023 CoreMark(4.092 CoreMark/MHz)。 高达2 Mbyte的嵌入式闪存,带ECC,两个存储体可读写。 每个存储体高达48 Kbyte,具有高循环能力(100 K周期),用于数据闪存
    • 1+

      ¥72.6
    • 10+

      ¥68.94
    • 30+

      ¥62.6
  • 有货
  • 特性:ARM 32 位 Cortex-M3 CPU 内核,最高频率 72 MHz,在 0 等待状态内存访问时,性能为 1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),具备单周期乘法和硬件除法功能。 16 或 32 KB 的闪存,6 或 10 KB 的 SRAM。 2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O,POR、PDR 和可编程电压检测器(PVD),4 至 16 MHz 晶体振荡器,内部 8 MHz 工厂校准 RC,内部 40 kHz RC,用于 CPU 时钟的 PLL,带校准功能的 32 kHz RTC 振荡器。 具备睡眠、停止和待机模式,VBAT 为 RTC 和备份寄存器供电。 2 个 12 位、1 μs A/D 转换器(最多 16 个通道),转换范围 0 至 3.6 V,具备双采样和保持能力,有温度传感器。 7 通道 DMA 控制器,支持定时器、ADC、SPIs、I²Cs 和 USARTs 等外设
    数据手册
    • 1+

      ¥73.26
    • 10+

      ¥70.86
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台。 1.65V 至 3.6V 电源,-40℃ 至 125℃ 温度范围。 0.29μA 待机模式(3 个唤醒引脚)。 0.43μA 停止模式(16 个唤醒线)。 0.86μA 停止模式 + RTC + 20KB RAM 保留。 运行模式低至 93μA/MHz
    数据手册
    • 1+

      ¥73.53
    • 10+

      ¥63.45
    • 30+

      ¥57.3
  • 有货
    • 1+

      ¥73.82
    • 10+

      ¥63.32
    • 30+

      ¥56.92
  • 有货
  • 基于 ARM 的 32 位 MCU,高达 256 KB 闪存,具备 CAN、12 个定时器、ADC、DAC 和通信接口,工作电压 2.0-3.6V。
    数据手册
    • 1+

      ¥73.92
    • 10+

      ¥63.78
    • 30+

      ¥57.61
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU,带TrustZone、FPU,频率高达250 MHz,MPU,375 DMIPS(Dhrystone 2.1)。 8-Kbyte指令缓存,可实现从闪存和外部存储器的零等待状态执行;4-Kbyte外部存储器数据缓存。 1.5 DMIPS/MHz(Drystone 2.1)。 1023 CoreMark(4.092 CoreMark/MHz)。 高达2 Mbytes的嵌入式闪存,带ECC,2个存储体可读写;每个存储体高达48-Kbyte,DATA闪存具有高循环能力(100 K周期);2-Kbyte OTP(一次性可编程);640 Kbytes SRAM(64-Kbyte SRAM2带ECC,320-Kbyte SRAM3带灵活ECC);4 Kbytes备份SRAM,在最低功耗模式下可用;灵活的外部存储器控制器,数据总线高达16位,支持SRAM、PSRAM、FRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND存储器;一个Octo-SPI存储器接口,支持串行PSRAM/NAND/NOR、Hyper RAM/闪存帧格式;两个SD/SDIO/MMC接口。 内部振荡器:64 MHz HSI、48 MHz HSI48、4 MHz CSI、32 kHz LSI。 外部振荡器:4-50 MHz HSE、32.768 kHz LSE
    • 1+

      ¥74.23
    • 10+

      ¥70.54
    • 30+

      ¥64.15
  • 有货
  • 特性:核心:基于 Arm Cortex-M4 的 32 位 CPU 带 FPU(最高 72 MHz),单周期乘法和硬件除法,DSP 指令和 MPU(内存保护单元)。 工作条件:VDD、VDDA 电压范围:2.0 V 至 3.6 V。 内存:128 至 256 KB 的闪存;高达 40 KB 的 SRAM,前 16 KB 实现硬件奇偶校验。 CRC 计算单元。 复位和电源管理:上电/掉电复位(POR/PDR);可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止和待机;为 RTC 和备份寄存器提供 VBAT 电源。 时钟管理:4 至 32 MHz 晶体振荡器;用于 RTC 的 32 kHz 振荡器,带校准;内部 8 MHz RC,有 x 16 PLL 选项;内部 40 kHz 振荡器。 多达 87 个快速 I/O:所有可映射到外部中断向量;多个 5 V 容忍。 互连矩阵
    数据手册
    • 1+

      ¥74.33
    • 10+

      ¥70.92
    • 30+

      ¥65.01
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台。1.65 V 至 3.6 V 电源。40℃ 至 105℃ 温度范围。0.29 μA 待机模式(3 个唤醒引脚)。1.15 μA 待机模式 + RTC。0.44 μA 停止模式(16 个唤醒线路)。1.4 μA 停止模式 + RTC。8.6 μA 低功耗运行模式
    • 1+

      ¥75.02
    • 10+

      ¥71.58
    • 30+

      ¥65.62
  • 有货
  • 连接线路,基于 ARM 的 32 位 MCU,具有 64/256 KB 闪存、USB OTG、以太网、10 个定时器、2 个 CAN、2 个 ADC、14 个通信接口。
    数据手册
    • 1+

      ¥75.25
    • 10+

      ¥71.71
    • 30+

      ¥65.59
  • 有货
    • 1+

      ¥75.4
    • 10+

      ¥71.94
    • 30+

      ¥65.95
  • 有货
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