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首页 > 热门关键词 > STM32仿真器
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特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 超低功耗无线电:2.4 GHz 无线电,RF 收发器支持蓝牙低功耗规范 5.4、IEEE 802.15.4-2015 PHY 和 MAC,支持 Thread、Matter 和 Zigbee 专有协议。 接收灵敏度:蓝牙低功耗 1 Mbps 时为 -96 dBm,IEEE 802.15.4 250 kbps 时为 -97.5 dBm。 可编程输出功率,+10 dBm,步长 1 dB。 支持外部功率放大器。 等时通道(Auracast/单播)、AOA/AOD、长距离。 数据包流量仲裁。 集成巴伦以减少物料清单
  • 1+

    ¥41.56
  • 10+

    ¥40.66
  • 30+

    ¥40.05
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台: 1.65V 至 3.6V 电源。-40°C 至 85°C/105°C 温度范围。0.3μA 待机模式(3 个唤醒引脚)。0.9μA 待机模式 + RTC。0.57μA 停止模式(16 个唤醒线)。1.2μA 停止模式 + RTC。9μA 低功耗运行模式。214μA/MHz 运行模式
    数据手册
    • 1+

      ¥41.68
    • 10+

      ¥40.7
    • 30+

      ¥40.04
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台。1.65 V至3.6 V电源。40至125℃温度范围。0.29 μA待机模式(3个唤醒引脚)。0.43 μA停止模式(16个唤醒线)。0.86 μA停止模式 + RTC + 20-Kbyte RAM保留。运行模式下低至93 μA/MHz。5 μs唤醒时间(从闪存)
    数据手册
    • 1+

      ¥41.95
    • 10+

      ¥40.93
    • 30+

      ¥40.24
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台。1.65 V至3.6 V电源。40至125℃温度范围。0.29 μA待机模式(3个唤醒引脚)。0.43 μA停止模式(16个唤醒线)。0.86 μA停止模式 + RTC + 20 Kbyte RAM保留
    数据手册
    • 1+

      ¥42.23
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      ¥36.35
    • 30+

      ¥32.77
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M3 CPU。 最高24 MHz频率,1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)性能。 单周期乘法和硬件除法。 16至128 KB的闪存。 4至8 KB的SRAM。 2.0至3.6 V应用电源和I/O
    数据手册
    • 1+

      ¥42.49
    • 10+

      ¥41.47
    • 30+

      ¥40.79
  • 有货
  • 特性:采用FlexPowerControl实现超低功耗。 电源电压范围:1.71V至3.6V。 温度范围:-40℃至85/105/125℃。 VBAT模式下为300nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。 关机模式下为30nA(5个唤醒引脚)。 待机模式下为120nA(5个唤醒引脚)。 带RTC的待机模式为420nA。 停止2模式下为1.1μA,带RTC时为1.4μA
    数据手册
    • 1+

      ¥42.9
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      ¥41.89
    • 30+

      ¥41.22
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU,具备TrustZone、FPU,频率高达250 MHz,MPU,375 DMIPS(Dhrystone 2.1)。 8 Kbyte指令缓存,可实现从闪存和外部存储器的零等待状态执行;4 Kbyte外部存储器数据缓存。 1.5 DMIPS/MHz(Drystone 2.1)。 1023 CoreMark(4.092 CoreMark/MHz)。 高达512 Kbyte的嵌入式闪存,带ECC,两个存储体可在写入时读取,每个存储体高达48 Kbyte,具有高循环能力(100 K周期)用于数据闪存。 2 Kbyte OTP(一次性可编程)。 272 Kbyte SRAM(80 Kbyte SRAM2带ECC)
    • 1+

      ¥43.45
    • 10+

      ¥42.5
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      ¥41.87
  • 有货
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      ¥44.13
    • 10+

      ¥43.16
    • 30+

      ¥42.52
  • 有货
  • 特性:32位Arm Cortex-M7 CPU,带有MPU和DP-FPU,L1缓存:32 + 32 Kbyte指令和数据缓存,允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行,频率高达600 MHz,1284 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),具备DSP指令。 64 Kbytes用户闪存,可用于用户代码和/或外部存储器配置。 SRAM:总计620 Kbytes(548 Kbytes可选ECC激活),组织如下: -64 + 64 Kbytes最小指令和数据TCM RAM,用于关键实时指令。 -384 Kbytes AXI SRAM(128 Kbytes可选重新映射到完全激活的TCM RAM)。 -4 Kbytes备份SRAM(在最低功耗模式下可用)。 灵活的外部存储器控制器,具有高达32位数据总线:支持SRAM、PSRAM、FRAM、SDR/LPSDR、SDRAM、NOR/NAND存储器。 高达2x八线SPI存储器接口或1个八线SPI + 1个六线SPI(带XIF),支持串行PSRAM/NAND/NOR、HyperRAM/HyperFlash帧格式,运行频率高达200 MHz。 2x SD/SDIO/MMC接口
    • 1+

      ¥44.47
    • 10+

      ¥43.34
    • 30+

      ¥42.58
  • 有货
    • 1+

      ¥44.7
    • 10+

      ¥43.73
    • 30+

      ¥43.08
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 32位Arm Cortex-M7 CPU,带有MPU和DP-FPU,L1缓存:32 + 32 Kbyte指令和数据缓存,允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行,频率高达600 MHz,1284 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),具备DSP指令。 64 Kbytes用户闪存,可用于用户代码和/或外部存储器配置。 SRAM:总共620 Kbytes(548 Kbytes可选ECC激活),组织如下: -64 + 64 Kbytes最小指令和数据TCM RAM,用于关键实时指令。384 Kbytes AXI SRAM(128 Kbytes可选重新映射到完全激活的TCM RAM)。4 Kbytes备份SRAM(在最低功耗模式下可用)。 灵活的外部存储器控制器,具有高达32位数据总线:支持SRAM、PSRAM、FRAM、SDR/LPSDR、SDRAM、NOR/NAND存储器。 高达2x Octo-SPI存储器接口或1个octo-SPI + 1个hexa-SPI,支持XiP,支持串行PSRAM/NAND/NOR、HyperRAM/HyperFlash帧格式,运行频率高达200 MHz
    • 1+

      ¥45.1
    • 10+

      ¥43.95
    • 30+

      ¥43.18
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M4 CPU(最高72 MHz),单周期乘法和硬件除法,带浮点单元(FPU)和内存保护单元(MPU)的DSP指令。1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。存储器:64至256 Kbytes的闪存,32 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理:电压范围2.0至3.6 V,上电/掉电复位(POR/PDR),可编程电压检测器(PVD),低功耗模式(睡眠、停止、待机),RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理:4至32 MHz晶体振荡器,用于RTC的32kHz振荡器(带校准),内部8 MHz RC(带x16 PLL选项),内部40kHz振荡器
    数据手册
    • 1+

      ¥45.85
    • 10+

      ¥44.75
    • 30+

      ¥44.01
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台。1.65 V 至 3.6 V 电源。40℃ 至 105℃ 温度范围。0.29 μA 待机模式(3 个唤醒引脚)。1.15 μA 待机模式 + RTC。0.44 μA 停止模式(16 个唤醒线路)。1.4 μA 停止模式 + RTC。8.6 μA 低功耗运行模式
    数据手册
    • 1+

      ¥46.55
    • 10+

      ¥40.03
    • 30+

      ¥36.06
  • 有货
  • 特性:采用FlexPowerControl的超低功耗。1.71V至3.6V电源。-40℃至85/125℃温度范围。BAT模式下300nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。16nA关机模式(4个唤醒引脚)。32nA待机模式(4个唤醒引脚)。带RTC的245nA待机模式。0.7μA停止2模式,带RTC时为0.95μA
    数据手册
    • 1+

      ¥47.66
    • 10+

      ¥46.58
    • 30+

      ¥45.85
  • 有货
  • 特性:采用FlexPowerControl实现超低功耗。1.71 V至3.6 V电源供电。40℃至85/105/125℃温度范围。V_BAT模式下200 nA:为RTC和32x32位备份寄存器供电。8 nA关机模式(5个唤醒引脚)。28 nA待机模式(5个唤醒引脚)。带RTC的280 nA待机模式。1.0 μA停止2模式,带RTC时1.28 μA
    数据手册
    • 1+

      ¥47.97
    • 10+

      ¥46.79
    • 30+

      ¥46.01
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台。 1.65 V 至 3.6 V 电源,-40℃ 至 125℃ 温度范围。 0.29 μA 待机模式(3 个唤醒引脚)。 0.43 μA 停止模式(16 个唤醒线)。 0.86 μA 停止模式 + RTC + 20-Kbyte RAM 保留。 运行模式下低至 93 μA/MHz。 5 μs 唤醒时间(从闪存)。 12 位 ADC 转换在 10 ksps 时为 41 μA
    数据手册
    • 1+

      ¥48.02
    • 10+

      ¥46.87
    • 30+

      ¥46.1
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台。 1.65 V 至 3.6 V 电源,-40℃ 至 125℃ 温度范围。 0.29 μA 待机模式(3 个唤醒引脚)。 0.43 μA 停止模式(16 个唤醒线)。 0.86 μA 停止模式 + RTC + 20-Kbyte RAM 保留。 运行模式下低至 93 μA/MHz。 5 μs 唤醒时间(从闪存)。 12 位 ADC 转换在 10 ksps 时为 41 μA
    数据手册
    • 1+

      ¥48.4
    • 10+

      ¥47.29
    • 30+

      ¥46.55
  • 有货
  • 特性:超低功耗,采用FlexPowerControl: -电源电压1.71V至3.6V。 -温度范围 -40℃至85/125℃。 -VBAT模式下145 nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。 -关机模式22 nA(5个唤醒引脚)。 -待机模式106 nA(5个唤醒引脚)。 -带RTC的待机模式375 nA。 -停止2模式2.05 µA,带RTC时2.40 µA。 -运行模式84 µA/MHz
    数据手册
    • 1+

      ¥48.47
    • 10+

      ¥47.31
    • 30+

      ¥46.54
  • 有货
  • 特性:超低功耗,采用FlexPowerControl,电源电压1.71V至3.6V,温度范围-40℃至85/105/125℃。 VBAT模式下为300nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。 关机模式30nA(5个唤醒引脚)。 待机模式120nA(5个唤醒引脚)。 带RTC的待机模式420nA。 停止2模式1.1μA,带RTC时1.4μA。 运行模式100μA/MHz(LDO模式)。 运行模式39μA/MHz(@3.3V SMPS模式)
    数据手册
    • 1+

      ¥48.47
    • 10+

      ¥47.24
    • 30+

      ¥46.41
  • 有货
    • 1+

      ¥48.49
    • 10+

      ¥47.36
    • 30+

      ¥46.61
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。采用FlexPowerControl实现超低功耗。1.71 V至3.6 V电源,-40℃至+85/125℃温度范围。低功耗背景自主模式(LPBAM):具有DMA的自主外设,功能可低至Stop 2模式。VBAT模式:为RTC、32×32位备份寄存器和2 Kbyte备份SRAM供电。90 nA关机模式(23个唤醒引脚)。200 nA待机模式(23个唤醒引脚)。370 nA带RTC的待机模式
    • 1+

      ¥49.18
    • 10+

      ¥48.1
    • 30+

      ¥47.39
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。采用FlexPowerControl实现超低功耗。供电电压为1.71V至3.6V。工作温度范围为 -40°C至 +85/125°C。低功耗背景自主模式(LPBAM):具有DMA的自主外设,功能可低至Stop 2模式。VBAT模式:为RTC、32×32位备份寄存器和2KB备份SRAM供电。关机模式电流为90nA(23个唤醒引脚)。待机模式电流为200nA(23个唤醒引脚)
    • 1+

      ¥49.28
    • 10+

      ¥41.94
    • 30+

      ¥37.47
  • 有货
  • 特性:核心:32位Arm Cortex-M3 CPU。最高频率72 MHz,在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。单周期乘法和硬件除法。256至512 Kbytes的闪存。高达64 Kbytes的SRAM。具有4个片选的灵活静态内存控制器,支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存
    数据手册
    • 1+

      ¥49.6
    • 10+

      ¥48.33
    • 30+

      ¥47.49
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台: 1.65V 至 3.6V 电源。-40°C 至 85°C/105°C 温度范围。0.3μA 待机模式(3 个唤醒引脚)。0.9μA 待机模式 + RTC。0.57μA 停止模式(16 个唤醒线)。1.2μA 停止模式 + RTC。9μA 低功耗运行模式。214μA/MHz 运行模式
    数据手册
    • 1+

      ¥49.72
    • 10+

      ¥48.52
    • 30+

      ¥47.73
  • 有货
  • 特性:核心:带FPU的32位Arm Cortex-M4 CPU(最高72 MHz),单周期乘法和硬件除法DSP指令。 高达64 KB的闪存。 高达12 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 程序加速器:指令和数据总线上4 KB带硬件奇偶校验的SRAM(CCM)。 CRC计算单元。 复位和电源管理。 低功耗模式:睡眠、停止、待机。 VDD、VDA电压范围:2.0至3.6 V
    数据手册
    • 1+

      ¥49.78
    • 10+

      ¥42.75
    • 30+

      ¥37.2
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 采用FlexPowerControl实现超低功耗。 -电源电压范围:1.71V至3.6V。 -温度范围:-40℃至85/105/125℃。 -VBAT模式下电流为200nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。 -关机模式电流为8nA(5个唤醒引脚)。 -待机模式电流为28nA(5个唤醒引脚)。 -带RTC的待机模式电流为280nA
    数据手册
    • 1+

      ¥50.7
    • 10+

      ¥49.51
    • 30+

      ¥48.71
  • 有货
    • 1+

      ¥50.92
    • 10+

      ¥49.75
    • 30+

      ¥48.98
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M0 CPU,频率高达48 MHz。 存储器:64至128 KB的闪存;16 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理:数字和I/O电源:VDD = 2.0 V至3.6 V;模拟电源:VDDA = VDD至3.6 V;选定的I/Os:VDDIO2 = 1.65 V至3.6 V;上电/掉电复位 (POR/PDR);可编程电压检测器 (PVD);低功耗模式:睡眠、停止、待机;V BAT为RTC和备份寄存器供电。 时钟管理:4至32 MHz晶体振荡器;用于RTC的32 kHz振荡器,带校准功能;内部8 MHz RC,可选x6 PLL;内部40 kHz RC振荡器;基于外部同步自动微调的内部48 MHz振荡器。 多达87个快速I/O:均可映射到外部中断向量;多达68个I/O具有5V容限能力,19个具有独立电源VDDIO2
    数据手册
    • 1+

      ¥51.33
    • 10+

      ¥50.1
    • 30+

      ¥49.28
  • 有货
  • 特性:核心:Arm 32位Cortex-M3 CPU。 最高频率48 MHz,在0 WS内存访问时,性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhystone 2.1)。 单周期乘法和硬件除法。 64或128 KB的闪存。 10或16 KB的SRAM。 2.0至3.6V的应用电源和I/O
    数据手册
    • 1+

      ¥51.68
    • 10+

      ¥50.44
    • 30+

      ¥49.62
  • 有货
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